Bonsoir
Le schéma ne peut pas fonctionner.
Le transistor bipolaire DB139 est monté en "suiveur", ce qui signifie que la tension de son émetteur va suivre la tension d'entrée (à V
BE<0,7V près). La source étant de type TTL, il faut s'attendre à une tension d'entrée inférieure à 5V, et probablement de l'ordre de 3,3V. Cela va nous donner une tension de seulement 2,6V à 4,5V au niveau de l'émetteur.
Le transistor MOSFET IRF620 est de type "canal N". Cela signifie que pour assurer sa mise en conduction, il faut porter sa
gate à une tension bien supérieure à celle de sa
source (environ 10V au-dessus, en pratique).
En conséquence, avec le montage actuel, seul un courant très faible peut parcourir la charge de 12
.
1/ Il faudrait donc mettre la charge de 12
entre le
drain du transistor MOSFET et le +12V.
Comme la commande de ce transistor nécessite une tension élevée (10V ou plus), je suggère de placer une résistance de rappel entre le +12V et sa
gate, et de commander cette dernière avec une porte compatible TTL à collecteur ouvert. Une porte inverseuse à collecteur ouvert 74LS06 et une résistance de 2,2k
(ou plus) devraient convenir.
L'inconvénient de cette solution est une consommation d'énergie non négligeable au repos. Pour y remédier, on pourrait insérer un petit tansistor PNP (émetteur au +12V) avec des résistances adéquates, mais cela augmenterait la complexité et le coût du montage.
2/ Une autre solution consiste à utiliser un MOSFET à canal P (IRF9520, par exemple) et à le commander avec une porte non-inverseuse à collecteur ouvert 74LS07.
Quoi qu'il en soit, compte tenu de l'application, il faudra prévoir un dispositif afin d'empêcher une commutation intempestive au moment de la mise sous tension du montage (un interrupteur général de l'alimentation des inflamateurs, par exemple).
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