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Actu - Deux bits par cellule mémoire pour le successeur de la mémoire Flash ?

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04/02/2008, 15h45	#1
RSSBot Date d'inscription: novembre 2004 Localisation: FS Messages: 7 859	Actu - Deux bits par cellule mémoire pour le successeur de la mémoire Flash ? Une mémoire à changement de phase – PRam – est en cours de mise au point chez Intel et STMicroelectronics. Cette famille de circuits, déjà connue, est candidate à la succession de la mémoire Flash. Ce nouveau prototype à quatre états apporte des performances inédites.A la conférence IEEE sur les composants électroniques (ISSCC), Intel vient de présenter un prototype de mémoire à changement de phase (PRam, Phase-change Ram) aux performances étonnantes. Dans une PRam, l'information est mémori... Lire la suite : Deux bits par cellule mémoire pour le successeur de la mémoire Flash ? Les actualités Futura-Sciences

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