Samsung vient d'annoncer la réalisation de puces de mémoire Flash gravées à 30 nanomètres et capables d'engranger 64 Gbits. De quoi multiplier la capacité des cartes mémoires, des clés USB et des disques SSD.En gravant avec une finesse de 30 nanomètres (contre 65 pour les modèles actuels) des circuits de mémoire Flash (celle des clés USB et des cartes mémoire), Samsung en augmente considérablement la capacité. Elle atteint 64 Gbits (gigabits) par puce. Le circuit (expérimental) présenté par le fabricant coréen affichait effectivement une capacité de 8 Go (gigaoctets). L...
Lire la suite : En bref : des cartes mémoire de 128 Go en 2009
Les actualités Futura-Sciences![]()