General Electric développe une diode à nanotube à haute performance

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Pour fabriquer une diode dans un matériau semi-conducteur, il faut former une jonction P-N et donc réaliser une ou plusieurs opérations de dopage du matériau.

Pour faire une diode avec un nanotube de carbone, les chercheurs de General Electric (Centre de Niskayuna, Etat de New York) ont créé les deux régions N et P par une technique de dopage électrostatique en utilisant deux grilles distinctes qui agissent chacune sur...{br}{br}Lire l'article : General Electric développe une diode à nanotube à haute performance {br}

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Il serait interressant de connaitre les caractéristiques :
V inverse max.
V dans le sens passant.
et Imax de ce prototype pour le comparer avec le matériel actuel. (