Bonjour,
je cherche à réaliser un générateur de bruit blanc dans les fréquences de l'audible, disons un peu plus (10-30000Hz) pour avoir un peu de marge, mais je n'ai rien trouvé qui ne m'aie convaincu sur Internet. Quelqu'un d'entre vous aurait une idée?
Merci d'avance et à bientôt sur le forum FSG.
Salut,
un bruit blanc ou un bruit rose pour le domaine audible... quelle est l'application ?
Un générateur de bruit à base de diode zener ne suffit pas pour ton besoin ?
Tout existe, il suffit de le trouver...!
Ou mieux, utiliser le claquage base émetteur en inverse d'une jonction Base-émetteur avec un courant de polarisation de quelques µA .... ça fait beaucoup de bruit électronique
J'aime pas le Grec
Salut Daudet,
je ne connaissais pas ..Envoyé par DAUDET78
Et la tension de claquage inverse, tu prends la valeur de la datasheet ou tu la détermines par la valeur du courant inverse ? en gros, comment determines tu ton point de polarisation ?
Tout existe, il suffit de le trouver...!
La spécification, c'est le minimum garantie en valeur absolue (on n'utilise jamais ce paramètre). En fait le claquage de la jonction base-émetteur est entre -5 et -10 (pour un 2N2222 par exemple. On alimente la jonction avec -15V avec une résistance série de 470K ....... et là, c'est la valkyrie pour le bruit !
J'aime pas le Grec
Bonjour,
Si c’est pour un problème d’identification de fonction de transfert, on peut utiliser à la place du bruit blanc une séquence binaire pseudo aléatoire (de mémoire (qui n’est pas excellente) fait avec des registres à décalage rebouclés
A suivre
OK, je suis bien évidement d'accord que dans tous les cas mettre une jonction en inverse BE au delà de la limite, détériore définitivement le transistor (je le dis pour tous ceux qui nous écoutent...)
Toutefois, atteindre une polarisation inverse de jonction qui la rend conductrice, ce n'est pas ce qu'on apppele l'effet "zener".... à part que sur une jonction de transistor, la tension est moins bien contrôlée comparée à une diode dont le dopage est determinée pour produire la tension desirée ?
Tout existe, il suffit de le trouver...!
non, c'est réversible ! et avec quelques poils de µA , il n'y a pas de problème
J'aime pas le Grec
Non justement ce n'est pas vraiment réversible, ton trans fonctionnera encore mais tu entâmes son capital santé de façon significative ! (c'est le genre de truc que l'on t'apprend en µelectronique et ça casse un peu les convictions au début, mais on en arrive à la réalité... en 10 jours le trans est mort..)
Tout existe, il suffit de le trouver...!
I do'nt agree ! J'ai des 2N2222 qui font du bruit blanc depuis plus de 20 ans. Toute jonction a une tension de claquage. Sur les Zener ou les diodes à avalanches, c'est étudié pour. Sur une jonction ordinaire, c'est une question de puissance dissipée Avec des µA, No Problem.
J'aime pas le Grec
et comment tu determines ton point de polarisation inverse ? à la louche ? ou à tâtons ?
Tout existe, il suffit de le trouver...!
A la louche (ce n'est pas spécifié dans la spec ... et pour cause!) avec un poil de µA, c'est bon. Par contre un 2N2222 de chez "X" peut être différent de chez "Y" sur ce point. C'est le risque d'utiliser un produit avec un paramètre non spécifié... mais si on ne peut faire autrement !
J'aime pas le Grec
et tu le montes en base commune ?
et tu obtient quoi en largeur spectrale ? jusqu'à FT ?
Tout existe, il suffit de le trouver...!
non, avec deux pattes, comme une diode
aucun souvenir, mais dans la zone HiFi (20 20000), c'est bonet tu obtient quoi en largeur spectrale ? jusqu'à FT ?
J'aime pas le Grec
Je vais faire la manip à l'analyseur de réseau... et je te raconte.. (peut être pas demain !)
Tout existe, il suffit de le trouver...!
Attention, derriére le réseau "R" et "EB" , il faut passer par un suiveur (transistor ou ampliOP) pour ne pas casser le signal
J'aime pas le Grec
ou passer en sonde active
on a des méthodes modernes maintenant !
Tout existe, il suffit de le trouver...!
Et la sonde active,
J'aime pas le Grec
t'as une idée pour lui présenter la facture de façon conventionnelle sans qu'il fasse un arrêt cardiaque ?Et la sonde active,
(ps: t'es chiant Daudet avec tes idées, faut maintenant que j'attende la semaine prochaine pour faire la manip avec le trans et avec le grand WE, je vais pas arrêter d'y penser !
)
Tout existe, il suffit de le trouver...!
c'est mon plus gros défaut ...
PS: Tu n'as pas un labo dans ton garage ?
J'aime pas le Grec
Quelques précisions:
Daudet et Qristoff ont d'une certaine manière tous les deux raisons à propos du claquage BE des transistors: le moindre fonctionnement dans cette zone l'endommage de façon irréversible, mais paradoxalement, on peut aussi faire travailler indéfiniment un transistor en zener, à la simple condition de respecter les limitations habituelles de courant et de puissance.
En fait (et ce n'est valable que les transistors de technologie planar), le claquage BE augmente de façon significative et permanente le facteur de bruit du transistor concerné. Dans des applications courantes, ça ne se remarque pas, mais pour un étage d'entrée audio ou RF, ça peut faire une sacrée différence.
Il y a des exemples provenant de sources tout à fait respectables. Dans cette datasheet, l'alim donnée en exemple p11 utilise trois des transistors du CA3086 comme zeners:
http://www.jaycar.com.au/images_uploaded/FN817.PDF
Quant aux transistors servant de générateurs de bruit, ce n'est pas seulement employé par les bidouilleurs: j'ai vu chez nous des générateurs de bruit d'une trentaine d'années, fabriqués par Wandel & Goltermann, dont le coeur était un transistor.
Certains fabricants ont donné des sélections spéciales pour fonctionnement en générateur de bruit.
Le bruit généré est inversément proportionnel au courant de polar, mais il n'est pas possible de descendre trop bas: à faible courant, les capacités de jonction limitent la bande utile.
Pour faire un géné allant jusqu'aux UHF, il faut un transistor adéquat, 2N5179 p.ex., travailler à courant relativement élevé, et amplifier pour compenser le faible niveau. Mais c'est possible.
Pour faire la mesure, il faut plutot un analyseur de spectre, pas de réseau (sauf s'il fait les deux).
Pour l'audio, il y a des méthodes plus commodes, avec des registres générant des PRBS. Avec une quinzaine de bits, on peut déjà créer une bonne illusion de spectre continu pour de l'audio.
Voici un document reprenant les les endroits de feedback dans la chaine pour des nombres allant jusqu'à 768:
http://www.physics.otago.ac.nz/px/re...lfsr_table.pdf
La famille CMOS contient des circuits registres allant de 4 à plusieurs centaines de bits, permettant de réaliser facilement n'importe quelle longueur.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Bonsoir à tous
Hum!
Je n'ai pas l'impression, à les lire, qu'ils sont tous les deux d'accord sur le côté irrémédiable de l'opération.
Certes, il y a des limites en courant et en tension, mais il me semble que le seul facteur de dégradation, c'est la température atteinte, au voisinage et à la jonction. Comme, il existe de nombreuses hétérogénéités, ces températures devraient être "appréciées" de manière ponctuelle.
Au delà de certaines températures, le processus de diffusion reprend du service, pour modifier les caractéristiques de la jonction. Le cas limite, bien connu, c'est celui de la fusion de jonction, qui la transforme en un court circuit parfait.
Ceci m'amène à conclure qu'avec les quelques µA que permettra la résistance de limitation prônée par Daudet ne devrait pas permettre une élévation de température suffisante pour amorcer le processus de dégradation.
La dégradation se produit bien dès quelques µA.....
Mais ici c'est plutot un avantage, puisqu'on cherche justement à générer du bruit.
Voici quelques documents de référence pour ceux qui veulent approfondir un peu. En particulier ceci:
Extrait de ce document:The essence of wear-out
It's not commonly appreciated, but no transistor likes to have its junctions reverse biased until they start conducting. The energy involved in doing this will make the carefully diffused junction get more ragged and less well defined. It still works, but less well. The collector-base junction is pretty robust, being designed for the full Vceo rating of the transistor, but the base-emitter junction is delicate in all modern transistors.
It has to be. The way to get more gain and higher bandwidths in bipolar transistors is to make the base emitter junctions thin, abrupt, and very tightly defined. The doping profiles that make for good transistor functioning also make for a fairly low breakdown or zener voltage in the base emitter junction. The base-emitter junction of most modern transistors will reverse-conduct at between 5 and 7 volts. Germanium, oddly enough, was much better in this respect. Most old germaniums had base-emitter breakdowns of twenty to thirty volts.
If you cause reverse conduction in the base-emitter junction of a modern silicon transistor even once you will permanently degrade the noise performance of the transistor. How much it degrades depends on the transistor, the current flow, and many other variables, a lot of which reduce to the amount of energy you pour through the volume of the conducting base-emitter junction inside the semiconductor device. Other measures of the "goodness" of the transistor degrade too. The deceptive thing is that the degradation may not be immediately noticeable, but every time it happens you lose a little - just like hearing and noises loud enough to make your ears ring. Over time, the loss gets bad indeed.
http://www.geofex.com/circuits/when_...mps_go_bad.htm
L'autre méthode (digitale) de génération:
http://www.ethanwiner.com/spectrum.html
Une application pratique de transistor en générateur:
http://www.austrohungaro.com/synthes...pairmanual.pdf
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Mouais ...
Le lien que tu cites ne dit pas explicitement quel courant est "dangereux" (il ne donne pas de valeur), et il s'entoure de tellement de précautions "oratoires" que j'ai du mal à imaginer les conditions de l'essai, et celles dans lesquelles le courant base inverse est présent. En particulier, il ne dit pas clairement si la jonction base/collecteur, plus robuste comme il le signale, est ou non polarisée aussi, dans ses conditions normales d'utilisation. Je veux bien croire que, dans ces conditions là, le comportement sera tellement imprévisible, que cette dégradation définitive est bien probable. Il est facile d'imaginer un phénomène d'avalanche, incontrôlable, qui développe dans l'ensemble des jonctions, des micro points chauds qui peuvent être dévastateurs pour certaines caractéristiques pointues.
Parmi la liste des conditions dont dépend la profondeur de la dégradation, il me semble qu'il a oublié de citer l'âge du capitaine.
Il me semble me souvenir que l'origine de la TTL, et de sa limitation aux 5V si bien connus, était tout simplement cette limitation de la tension inverse de base des transistors bipolaires silicium. Les fonctions de base sont obtenues en polarisant précisément des bases, souvent multiples, en inverse. Augmenter ce 5V, risque d'atteindre l'avalanche, donc le crash, compte tenu des intensités susceptibles d'être mises en jeu.
Il n'y a pas de seuil de courant dangereux. On est ici dans des modes de dégradation, pas de défaut catastrophique. Dans les liens du message #21, j'ai d'ailleurs donné en exemple une application venant d'un fabricant de semiconducteurs, donc à priori compétent, dans laquelle un circuit intégré a plusieurs de ses jonctions utilisées de façon permanente en reverse breakdown.
Il n'y a pas de problème avec ça. Du moins tant qu'on ne cherche pas à récupérer le CA3086 concerné pour le réutiliser dans d'autres applications.
Pour des applications à faible bruit, le moindre courant inverse dégradera les performances, d'autant plus qu'elles sont bonnes initialement. Du temps des 741, 301 et autres, ce n'était pas un souci: les caractéristiques étaient tellement infectes que quelques µV de plus ou de moins ne changeaient rien.
Avec des composants plus modernes, on peut perdre un ordre de magnitude juste après un passage dans un traceur de courbes travaillant sous le mA.
Il ne s'agit pas de phénomènes thermiques, du moins pas au sens habituel, macroscopique du terme. Mais l'énergie globale joue un rôle, en particulier sa densité.
C'est la raison pour laquelle les circuits sensibles ont des entrées protégées par des diodes tête-bêche malgré l'inconvénient que ça représente pour l'utilisation: les transistors intégrés ont des surfaces actives bien plus faibles que des transistors petits signaux discrets, et sont donc proportionnellement plus sensibles. Les quelques nanocoulombs provenant de charges statiques pourraient dégrader les performances de façon significative. Mais encore une fois, il n'y a pas de seuil précis: c'est comme les composés cancérigènes pour les humains: au moins on s'y expose, au mieux on se porte.
En plus, il y a aussi la possibilité d'induire un défaut catastrophique si on dépasse les capacités technologiques brutes de la jonction, mais c'est un tout autre problème, bien moins insidieux, et dont le résultat est immédiatement apparent: c'est ce qui se passe quand la tension d'alim d'un circuit TTL dépasse 7.5V p.ex.
Dans les débuts de la microélectronique, on pensait effectivement que le bruit n'était pas et ne serait jamais maîtrisable: c'était une vérité acceptée que les ICs étaient bruyants, à quelques rares exceptions près (totalement incomprises). Et puis, on s'est rendu compte que certaines étapes des processes, en particulier les tests, avaient un impact dévastateur sur les bruits, popcorn et autres, et on a commencé à éliminer les causes (le reverse BD n'en est qu'une parmi d'autres). Il y a maintenant des ICs qui rivalisent sans problème avec les meilleurs discrets.Parmi la liste des conditions dont dépend la profondeur de la dégradation, il me semble qu'il a oublié de citer l'âge du capitaine.
Les discrets sont moins fragiles, mais si on fait des circuits à bas niveau, il faut éviter toute polarisation inverse des composants concernés, même si c'est à faible courant et pour une faible durée.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Et ben ... je ne pensais pas faire tant de bruit ...avec un générateur de bruit blanc. Tout ça, c'est de la masturbation intellectuelle. Ca fait 40 ans que l'on utilise une jonction base-émetteur polarisée en inverse, ce n'est pas spécifié, mais ça marche! En sachant que d'un fournisseur de 2N2222 à un autre, il y a de grosse différence. Si il y avait une autre méthode aussi simple ..... ça se saurait !
J'aime pas le Grec
D'autant plus (et je crois qu'on bien d'accord la dessus avec Daudet) que le risque en inverse vient de la tension appliquée et non pas du courant de fuite maitrisé pour obtenir le bruit voulu. Un claquage en tension inverse est différent dans le principe de la recherche de la micro-conduction qui va générer le bruit.
Dans un cas, on dépasse la limite du silicium, dans l'autre cas, on reste dans les limites du claquage puisqu'on est à courant maitrisé.
Tout existe, il suffit de le trouver...!
Il y a eu des fabricants qui ont fait des sélections spéciales, en diodes et en transistors, pour application en générateur de bruit. Au fait, ça existe encore:
http://www.micronetics.com/Noise_Diode/Microwave.pdf
Mais c'est surtout un héritage d'une autre époque:
http://books.google.be/books?id=toed...um=6#PPA147,M1
http://books.google.be/books?id=6WJV...esult&resnum=9
Et ça ne pose pas de problème particulier, puisque le composant utilisé ne l'est que pour ça: il faudrait vraiment faire preuve de perversion pour le mettre dans un circuit où il est alternativement générateur de bruit, et préamplificateur bas-niveau.....
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Hello,
Voici un lien intéressant sur le bruit que génèrent les transistors :
http://www.elektor.fr/nouvelles/fail...s.967074.lynkx
(Faille majeure dans la théorie des transistors (28 Mai 2009))
"Une faille fondamentale dans la compréhension du bruit intrinsèque des transistors a été trouvée par des chercheurs de l’institut national des standards et techniques [..............]"
+
Bonjour,
Absolument, n'importe quelle diode convient, tu peux même prendre une Led, cela donne dans les 12V de tension inverse, tu pourrais prendre une 1N4007, si tu y mets la tension nécessaire; d'ailleurs quand on fait des essais de redressements, en forçant la tension, on arrive à avoir un début de courant inverse, des petites pointes à l'oscillo, du côté négatif, c'est marrant, et sans destruction. il ne faut peut-être pas exagérer.
. .Mais j'ai fait fonctionner une led sur le secteur des années, et à chaque onde directe elle allumait et en inverse elle se mettait à 12V inverse, il y avait une résistance série, il s'agit qu'en inverse, le 12V multiplié par le courant donne une puissance très faible. Il y a de meilleurs schémas qu'une simple résistance, mais cela me suffisait comme voyant, vu que je n'avais pas de voyant au néon, ce qui est mieux. Selon ce que j'ai vu, il n'y a pas de risque de destruction de la jonction, je confirme l'avis déjà donné sur ce sujet. J'ai utilisé une jonction base-émetteur en zener, sans pb non plus.
pont
