modèle PSPICE

[invite176531fd]

Bonsoir,

J'ai trouvé un modèle Pspice de deux transistors (NPN et PNP)mais je ne sais pas comment le traduire en fichier .sub et .asy.

Vraiment je n'y comprends rien ..

Pour ma démarche, j'ai recopié chaque modèle dans un fichier.txt dont j'ai ensuite changer l'extension en .sub, et j'ai mis ces deux fichiers dans mon répertoire sub.

Pour les symboles, j'ai recopié le symbole d'un npn et d'un pnp, que j'ai renommé comme mes .sub, et je les ai mis dans le répertoire
sym (avec l'extension .asy)


Bref , je ne pense pas que ce soit la bonne méthode ...
(j'ai remarqué qu'il y avait plus de points ds mes .sub qu'il n'y avait de lignes de calculs dans mes .asy)

Si qlqn peut m'aider pour traduire mes deux modèles ... ?

Je les ai mis en pèces jointes ... et puis ils pourront servir à qlqn d'autre qu'à moi ...


Bonne soirée
+
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[Tropique]

Bonsoir,

Il y a une infinité de méthodes pour utiliser des modèles de parties tierces dans LTspice.
Voici un ou deux exemples:
Pour une utilisation ponctuelle, il est possible de mettre directement le modèle en directive sur le schéma. Normalement, tous les modèles Spice sont compatibles, mais il y a généralement des problèmes de syntaxe, séparateurs et formatage entre le moment où le modéle est capturé, et celui où il apparait sur le schéma. Cela peut très bien arriver aussi pour des modèles spécifiques à LTspice, parce que le passage dans un éditeur de texte "esquinte" certaines parties, même si ce n'est que pour faire un copy-paste.
Dans ce cas précis, le line-feed doit être confirmé par un "+" si c'est la continuation de la ligne précédente. Il est possible de mettre tout sur une ligne et contourner le problème, mais en pratique, c'est complètement illisible.
Voici un exemple de circuit utilisant tes modèles, en screenshot et en .asc

Une autre possibilité, si tu comptes utiliser de façon permanente ces modèles, est de les intégrer directement à la librairie LTspice:
Dans C:\Program Files\LTC\SwCADIII\lib\cmp (exemple, dépend de ton installation), tu as la librairie "standard.bjt".
Tu l'ouvres avec un éditeur de texte, et tu rajoutes la ligne qui correpond à ton modèle.
Tu peux la mettre n'importe où, mais il vaut mieux être ordonné, si tu ne veux pas te mélanger les pinceaux par la suite (attention, pas de line-feed ou autre).
Cette méthode est considérée comme "casse-cou", parce qu'on touche aux librairies d'origine.
Pour ma part, je n'ai jamais de problème, y compris dans les upgrades qui respectent ce qui est rajouté. Il y a de toutes manières des fichiers .bak, au cas où tout irait mal.
Enfin, il y a différents moyens termes, par exemple créer un fichier "mes_transos.lib", mettre tous tes modèles third party dedans, et sur chaque schéma qui les utilise, mettre une directive ".include mes_transos.lib".
Tu peux aussi, pour chaque schéma, créer un répertoire spécifique, et y mettre le schéma, les symboles, les modèles, bref, tout ce qui s'y rapporte.
Avec des composants standards comme des bipolaires, il n'y a pas ce genre de souci, le symbole y est déjà et la numérotation correspond.

Dernier détail, mais très important: si tu modifies quoi que ce soit aux librairies, il faut fermer et redémarrer le programme pour que les changements soient pris en compte.

[invite176531fd]

Merci Tropique .

Pour cette fois-ci, et pour les autres fois aussi ...

Bonne journée

+

[invite176531fd]

Je souhaiterais savoir si avec ce genre de montage, il est possible

d'obtenir un courant maximale 2.4 A pic pic aux bornes de la charge de

10 Ohms (?).


L'amplification en courant est égale au hfe du transistor normalement ... mais je n'arrive pas à dépasser 500mA aux bornes de la charge utile ..

Merci.

[A voir en vidéo sur Futura]

[Tropique]

Je ne vois pas comment tu peux espérer 2.4A pp sur 10 ohms avec l'étage de puissance alimenté en 10V et le driver en 5V. Il y a impossibilité, sauf à passer par un transfo.
Il faudrait des alims suffisantes, et procurer aussi un courant de base suffisant aux transistors.
Même ainsi, ça me parait très difficile: déjà, en BF sortir 1.2A crête avec des transistors de 1.5A serait limite, mais à 13.5MHz, ils vont crever à la tâche.
Dans cet exemple corrigé, on a la moitié, et le croisement des courants se fait à 0.4A. Rien que ça dissipe déjà 8W, plus le reste: on est plus que limite, et ce n'est que la moitié de ce qu'il faudrait.
Il faut des transistors plus musclés et plus rapides; ou alors en mettre +sieurs en //.

[invite176531fd]

plusieurs en parallèle ?

faire des Darlingtons pour chaque transistor ? un peu perdu ..

[Tropique]

En parallèle: base sur base, émetteur sur émetteur et collecteur sur collecteur.

[invite176531fd]

Ok.


Néanmoins, je ne vois pas vraiment en quoi ça va diminuer la dissipation thermique.

Pour un classe AB c 'est soit le npn ou le pnp qui conduit suivant
l'alternance de ma sinusoïde , mais là avec quatre transistors ... (?)

Bref , dans tous les cas sinon je ne pourrais pas dépasser 1.2 A (je pensais que c'était une valeur rms sur les datasheets ... aïe désolé ).


Je vais essayer de voir si je peux trouver des modèles de npn et pnp
qui fonctionnent à cette fréquence, sinon beh ... je sais pas trop quoi faire ..

Merci en tout cas

[Tropique]

Tu oublié les émetteurs.

[invite176531fd]

Oki , là je pense avoir tout relier et je rentre sur le pont commun aux bases comme un classe AB normal.

Donc j'imagine que le courant va se diviser dans chacun des deux classes AB ainsi formés et que je divise ainsi par deux la puissance dissipée par chaque transistor (?).
Donc physiquement, pour une alternance positive en entrée j'aurais les deux transistors npn qui conduisent chacun la moitié de cette alternance (?)

[invite176531fd]

Egalement, je souhaiterais savoir si à partir du schéma précédent il est possible de créer un ampli différentiel ..

Là je sais mon imagination s'enflamme ... mais bon.

J'ai joins mon schéma.

[Tropique]

Egalement, je souhaiterais savoir si à partir du schéma précédent il est possible de créer un ampli différentiel ..

Là je sais mon imagination s'enflamme ... mais bon.

J'ai joins mon schéma.

Oui, là ça devient plus réaliste point de vue stress des transistors.
La puissance à dissiper par unité sera divisée par 4 par rapport au premier.

[invite176531fd]

Bonjour,

J'ai changé les transistor pour avoir plus de patate.

Néanmoins ce que je n'arrive pas à comprendre c'est pourquoi je n'ai pas plus de courant aux bornes de ma charge.

Ce pourrait-il que le modèle fourni pour le transistor soit faux ? (sur le fichier joint) , également je ne vois pas trop comment on polarise les deux transistors simultanément ..?

Merci.

[Tropique]

????????

Tu as un gain unité, et une source donnant 2.5V crête.
Comment pourrais-tu avoir plus que 250mA crête dans ta charge de 10 ohms?

[invite176531fd]

Ah autant pour moi ... un peu fatigué..

Je pensais que l'amplification en courant ne dépendait que du bêta du transistor, et pas de la tension vin en entrée .. Mais vu que l'on n'a un gain en tension unitaire c logique qu'en sortie je retrouve mes 2.5V et donc 250 mA ds la charge, dsl pour le dérangement ..

Sachant que je suis limité sur ma tension de sortie et que je ne peux pas utiliser d'AO pour l'amplifier (à cause des faibles courants supportés), je ne pourrais donc pas augmenter mon courant ..

[Tropique]

Pourquoi tu ne peux pas utiliser d'AOP?

[invite176531fd]

Par rapport à mon schéma je ne peux pas utiliser de non inverseur avant d'attaquer le pont reliant mon npn et pnp car le courant en sortie de l'AO serait trop important.

[Tropique]

Il y a des AOP qui ont la sortance nécéssaire (pas obligatoirement chez Linear).
Il est aussi possible de bufferiser l'étage de sortie, avec un CFP, ou un étage diamant comme cet exemple (qui a aussi des bootstraps).
Il existe d'autres types d'éléments actifs, des MOS RF p.ex.
Les possibilités sont infinies.
Mais tu dois comprendre que je ne peux pas faire tout le boulot à ta place, ni improviser un cours universitaire complet sur l'amplification.