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transistor à effet de champ Vs transistor MOS

  1. No1
    Invité

    transistor à effet de champ Vs transistor MOS

    Salut ,
    à quoi servent les deux ? je veux une explication simple pas comme celle sur wiki ... SVP

    je vais etudier le cours et je veux d'abord une idée générale ...
    merci bien
     


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  2. gcortex

    Date d'inscription
    juin 2006
    Localisation
    59
    Âge
    36
    Messages
    11 976

    Re : transistor à effet de champ Vs transistor MOS

    le MOS est à effet de champ
    le Jfet canal N reçoit un Vgs négatif
    Les difficultés sont moindres quand elles sont réparties.
     

  3. PA5CAL

    Date d'inscription
    décembre 2005
    Localisation
    Paris
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    47
    Messages
    9 481

    Re : transistor à effet de champ Vs transistor MOS

    Bonjour

    MOS signifie "Metal Oxide Semiconductor". Le nom du transistor est MOSFET (pour Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

    Un transistor MOSFET est un transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur dont la grille est isolée du canal. Il peut être à enrichissement (absence de conduction à VGS=0) ou à appauvrissement (conduction à VGS=0).

    Un transistor JFET (pour Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. Du fait de cette jonction, son utilisation doit être similaire à celui du MOSFET à appauvrissement (VGS<0 pour un type N ou VGS>0 pour un type P).
     

  4. PA5CAL

    Date d'inscription
    décembre 2005
    Localisation
    Paris
    Âge
    47
    Messages
    9 481

    Re : transistor à effet de champ Vs transistor MOS

    L'intérêt de ces transistors à effet de champs est de présenter une impédance d'entrée très élevée. On peut ainsi commander un courant à l'aide d'une tension, sans devoir fournir un courant de commande continu important comme dans le cas des transistors bipolaires.

    Les MOSFET à enrichissement permentt de réaliser facilement des montages équivalents à ceux des transistors bipolaires, notamment pour les montages à "source commun" (qui équivaut à "émetteur commun"). On les retrouve donc naturellement dans les portes logiques, dans les dispositifs de commutation de charges et dans les étages symétriques des amplificateurs.

    Les MOSFET à appauvrissement sont plus souvent employés comme des résistances variables, et servent notamment de sources de courant dans les portes logiques.

    Les JFET ont sensiblement le même usage que les MOSFET à appauvrissement, à ceci près que, du fait de la jonction grille-source, on ne peut pas envisager de fonctionnement intéressant à VGS>0 pour un type N ou VGS<0 pour un type P.

    Le plus souvent, on trouve les deux types de MOSFET dans les circuits intégrés, et les JFET et les MOSFET à enrichissement sous forme discrète.

    .
    Dernière modification par PA5CAL ; 02/09/2010 à 11h06.
     


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