Bonjour,
lors d'une étude en "petit signaux", on peut établir un schéma équivalent d'un transistor MOS. Ce que je ne comprends pas, c'est la resistance nommée rds.
Tantôt elle apparait, tantôt elle disparait.
Quand est-ce que l'on doit la mettre?
Merci.
Deynid'oiseaux partout !! :rire:
Rds n'intervient pas dans le schéma équivalent d'un MOS en petits signaux.
On considère Rds uniquement en fonctionnement On/Off
J'aime pas le Grec
Merci de votre réponse.
Néanmoins, dans un cours sur internet(le mien aussi), rds apparait:
http://richard.grisel.free.fr/Master...tion_final.pdf
Là il y a un truc qui m'échappe...
Merci.
Deynid'oiseaux partout !! :rire:
Le PDF n'est pas lisible
J'aime pas le Grec
Salut,
En effet Deyni ton pdf rencontre un petit soucis
Ca se passe bien les 3 premières secondes après il y a un pb!
Rien ne se perd, rien ne se crée, tout se transforme. Lavoisier
Ok, et celui-là?:
http://www.google.fr/url?sa=t&rct=j&q=transistor mos schema equivalent&source=web&cd=1&ved =0CFMQFjAA&url=http%3A%2F%2Fle om.ec-lyon.fr%2Fdea%2FDEA_DEI%2FMod% 25E9lisation%2520des%2520trans istors%2520MOS.pdf&ei=StjpT5PM Luec0QW66eCqAQ&usg=AFQjCNFWia8 mcT5fVf8PjCp5Gl3w84m7KQ
Deynid'oiseaux partout !! :rire:
Le bon lien http://leom.ec-lyon.fr/dea/DEA_DEI/M...tors%20MOS.pdf
En fait, cette étude porte sur la modélisation d'un MOS (régime linéaire et saturé) Donc il est normal que Rds intervienne !... ce n'est pas la même chose !lors d'une étude en "petit signaux",
J'aime pas le Grec
Bonjour, et merci.
Mais je ne comprends pas, modélisation et schéma équivalent c'est la même chose?
LE schéma équivalent convient pour le mode saturé et linéaire?
Quand est-e qu'on ne met pas rds?
Merci.
Deynid'oiseaux partout !! :rire:
Le paramètre Rds n'a pas d'existence propre, c'est une valeur composite qui dépend de nombreux facteurs, comme la résistance bulk, la densité maximale en porteurs, les contacts ohmiques et bien d'autres.
Selon la précision et la sophistication du modèle, on peut tenir compte d'un ou plusieurs de ces paramètres, voire même d'aucun.
C'est en général le cas des modèles "traditionnels" en petits signaux, mais maintenant pour les simulations, on en tient éventuellement compte: il y a plusieurs niveaux dans la modélisation, en général 3, mais les outils spécialisés développés par les fabricants de semiconducteurs vont encore bien plus loin dans la précision, on peut donc trouver de tout dans les modèles, du plus rudimentaire au plus sophistiqué.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Je n'ai pas tout regardé ....
Mais le MOS a deux modes de fonctionnement :
- Le mode linéaire (et dans ce mode, le MOS est une résistance variable)
- Le mode saturé (et dans ce mode, c'est un générateur de courant commandé par la grille
L'auteur insiste sur le problème de modélisation quand on passe d'un mode à l'autre.
En petit signaux, tu es dans quel mode ?
PS : En électronique, quand on utilise le MOS en mode ON/OFF on dit souvent que le transistor MOS est saturé si Vgs égale 5 ou 10V ( le MOS est conducteur). C'est une erreur de langage ..... par analogie avec le bipolaire qui est conducteur (saturé) si Ib est grand .
J'aime pas le Grec
Bonjour,
merci. Si j'ai bien compris, cela dépend du degré de précision qu'on veut?
Une fois, j'ai "mesuré" la rds, j'ai trouvé 230kohm.
Je pensais qu'elle ne devait jamais être négligé(pas assez grand)
Contrairement à la tension d'Early qui elle est grande.
Quand aux effets de substrat, il en va de même.
Le modèle que je fais me paraissait très simplifié(rds+cgs+cgd+early)
Merci.
Deynid'oiseaux partout !! :rire:
Je crois que tu mélanges un petit peu tout. Vu le contexte, tes 230K seraient plutot l'inverse de la conductance de sortie.Envoyé par deyni
Mais faire une mesure ponctuelle comme ça n'a aucun sens.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Bonjour,
Pour moi "petit signaux" veut dire alternatif,(sans composante continue). Mais je crois que je me trompe...
Le schéma équivalent varie selon les modes?(en bloqué je le savais)
Pour le rds, non, je crois bien que j' ai bien mesuré la resistance.
Deynid'oiseaux partout !! :rire:
Pas tout à fait !
Il y a une composante continue qui sert à fixer le point de polarisation du transistor. Et les p'tits signaux, c'est la petite variation des signaux autour du point de polarisation.
Une petite variation de Vgs, fait une petite variation de Id et le gain est alors de delta(Id)/delta(Vgs)
J'aime pas le Grec
En petit signaux, on suppose que les conditions DC sont appliquées, et correctes (polar, etc), et on suppose une modulation négligeable de ces conditions par le signal.
Le schéma équivalent est celui qu'on adopte: si on en prend un trop simple, il ne convient que pour une fourchette très étroite de conditions.Le schéma équivalent varie selon les modes?(en bloqué je le savais)
Si on en prend un suffisamment sophistiqué, il pourra rester valide dans une plage beaucoup plus large.
Dans le temps, on employait des modèles très limités, et on en changeait en fonction du régime étudié.
Cela se justifiait, parce que c'est beaucoup plus simple à traiter analytiquement, et on ne disposait pas de simulateurs.
Maintenant, avec un seul modèle, on arrive à tout couvrir.
Je le répète, une mesure faite ainsi n'a pratiquement aucun sens, et si tu fais la même avec d'autres appareils, tu auras des valeurs différentes.Pour le rds, non, je crois bien que j' ai bien mesuré la resistance.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Bonjour, merci de vos réponses.
Je suis désolé, mais il y a un truc que je ne comprends pas:
pour les petits signaux(ça j'ai compris), on a un certain schéma équivalent.
Mais il peut différer, il diffère parcequ'on est en mode linéaire ou saturé(cf DAUDET78) ou par précision du modèle(cf TROPIQUE)?
Pour le rds, je peux détailler comment j'ai fait.
Merci.
Deynid'oiseaux partout !! :rire:
Les modèles les plus simples ont un domaine de validité restreint: donc, un modèle simplifié conçu pour le mode linéaire cessera d'être réaliste si on tente de le conserver en mode saturé.
Mais on peut également prendre un modèle plus "fin", plus général, qui reproduit toutes interactions présentes dans le MOS, quelque soit le mode de fonctionnement.
Evidemment, c'est énormément plus lourd mathématiquement, mais si c'est un simulateur qui fait le travail, c'est sans importance (sauf si le temps de simulation devient excessif, raison pour laquelle on se rabat parfois sur des modèles "behavioral", qui reproduisent l'apparence du fonctionnement externe du composant, comme une boîte noire, sans chercher à entrer dans le détail des phénomènes physiques réels).
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Ok, merci bien TROPIQUE. Je comprends pourquoi rds apparait et parfois non.
Merci.
Deynid'oiseaux partout !! :rire:
