Bonjour,
Je voudrais calculer le degré de dopage résiduel d'une photodiode PIN à partir de caractéristiques C(V).
J'ai trouvé cette relation :
Ref : Capacitance-voltage inverstigation of high-purity InAs/GaSb superlattice photodiodes.
Je comprends pas à quoi correspond le VD. On parle de built-in potential of the diode.
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