bonjour à tous,
voila j'ai lu plusieurs définition sur ce forum et le net mais j'ai encore quelques problemes,
voila si je prend l'exemple du silicium, il a un gap de 1.1 eV pour passer de la bande de valence a la bande de conduction, donc si je lui met une tension de 1.1 v alors il va recevoir une énergie de 1.1 eV donc il va passer dans la bande de conduction c'est ca?
merci pour vos éclaircissement
Bonjour.
Par où allez vous lui mettre la tension de 1,1 V ?
Si vous réussissez à donner une énergie de 1,1 eV à un électron du bord supérieur de la bande de valence, il passera au bord inférieur de la bande de conduction. Mais vous ne réussirez pas à le faire en mettant le morceau de silicium entre deux électrodes. Car l’électron ne subira pas le champ électrique qu’entre deux chocs avec les atomes du réseau. Et à chaque choc, son énergie (température) redevient celle du réseau.
Au revoir.
oui, vous ne l'avez pas du tout comprise, vraisemblablement.voila j'ai lu plusieurs définition sur ce forum et le net mais j'ai encore quelques problemes,
L'eV c'est juste une unité d'énergie comme le Joule ou la calorie, elle est plus facile à utiliser que ces derniers dans les cas concernant l'atomistique, la physique atomique ou nucléaire etc, car on ne se trimballe pas des 10-18 dans tous les sens.
Le rapport avec le volt vient de la façon de définir l'unité et ne tient que dans le cadre particulier de cette définition : 1eV c'est l'énergie cinétique acquise par un électron accéléré par une différence de potentiel de 1V (électron au repos au départ, dans le vide, avec rien d'autre que le champ électrique correspondant à la ddp de 1V). L'énergie potentielle de l'électron dans ce cas de figure varie de -e (charge de élémentaire) multiplié par 1Volt (l'énergie potentielle électrostatique étant la charge multiplié par le potentiel électrostatique) soit -1,6.10-19J, c'est en fait, au signe près, le travail effectué par la force électrostatique sur l'électron, donc l'énergie cinétique varie d'autant au signe près. Donc 1eV = 1,6.10-19J
Si entre deux états il y a une différence d'énergie de 1,1eV, cela signifie que pour passer de l'un à l'autre, il faut fournir autant d'énergie que le travail que fournirait une différence de potentiel de 1,1V à un électron (électron au repos au départ, dans le vide, avec rien d'autre que le champ électrique correspondant à la ddp de 1,1V), soit 1,76.10-19J et c'est tout.
m@ch3
Never feed the troll after midnight!
ok merci pour vos réponses,
derniere question, dans une jonction PN il faut au moins une tension de 0.7 v pour laisser passer le courant, pourtant la diode etant faite en silicium il faudrait donc 1.1v pour que la diode soit passante ?
Vous n'avez alors rien compris du tout à ce qu'on vous a expliqué. Relisez attentivement.derniere question, dans une jonction PN il faut au moins une tension de 0.7 v pour laisser passer le courant, pourtant la diode etant faite en silicium il faudrait donc 1.1v pour que la diode soit passante ?
m@ch3
Never feed the troll after midnight!
Bonjour.
Non. Une diode laisse passer du courant avec une tension très petite.
Mais le courant croit exponentiellement avec la tension. Donc, à 1 mV, le courant est ridiculement faible.
Les 0,5 V (et non 0,7 V) sont la tension pour que le courant devienne « décent » dans des diodes ordinaires : quelques mA.
Le fonctionnement d’une jonction est un peu plus compliqué que ça.
Si vous voulez une description « grand public » très simplifiée (mais sans conneries, j’espère) vous pouvez lire ce fascicule :
http://forums.futura-sciences.com/at...ducteurs-a.pdf
Au revoir.
