Bonjour a tous,
j'ai bien compris comment on pouvais graver une surface par le plasma, mais par contre la déposition de matière par plasma est toujours un peu obscure pour moi...
Est-ce que quelqu'un pourrait m'éxpliquer comment ca marche, les paramètres, les réactions en jeux...
Merci
++
Salut,
tout d'abord il existe plusieurs types de deposition de matiere par plasma, mais ton titre suggere que tu est particulierement interesse par le cote chimique de la chose (PCVD).
Un des interets des plasmas basse-pression reside dans leurs relativement forte temperature electronique 1-5 eV (12000-60000K) comparee a la faible temperature du gas neutre (350K). Le gas energetique d'electrons permet certaines reaction chimiques d'avoir lieu, ce tout en gardant le milieu gazeux a une temperature moderee. Ceci est tres interessant quand on a a traiter des substrats ou materiaux qui sont sensibles a la temperatures, comme les photoresits et autre substances organiques.
Cette propriete d'un milieu "froid" reactif est d'ailleur utilisee en gravure plasma, ou des especes actives (radicaux libres ou autre, sous forme ionique ou non) sont crees afin de graver des tranchees dans le silicium (par ex.) ou passiver des surfaces...
dans le cas du depot plasma en phase vapeur, la difference reside simplement dans les produits des reactions chimiques, ou l'on cree d'autre molecules qui elles vont se deposer a la surface du substrat et former un film mince, ou lieu de reagir et creuser des tranchees.
Il existe bien sure different types de reacteurs prevu a cet effet. Les plus notoires a ma connaissance sont les reacteurs magnetron a excitation microonde, et ceux a resonance cyclotronique electronique a excitation RF (13.56MHz le plus souvent).
Dans les deux cas, il y a une chambre d'excitation ou le plasma est cree et maintenu par le champ RF ou microonde, et une chambre de diffusion, en retrait par rapport a celle d'excitation. Le subtrat est place dans le bas de la deuxieme chambre, eloigne du plasma mais sujet au bombardement de molecules cree et qui se sont deplacees par diffusion a partir du plasma.
Les parametres principaux sont souvent la pression (densite des differentes especes), la puissance dissipee dans le plasma, la temperature electronique (dependante des deux autres parametres). Il ya a aussi dans certains cas d'autre parametres important comme la polarisation et la temperature du substrat, qui permettront de controller plus precisement les propriete du film cree.les paramètres, les réactions en jeux...
En ce qui concerne les reactions mise en jeu, tout cela depend bien-sure des gas presents, et de la nature des molecules crees. La premiere des reaction, et celle qui permet justement l'utilisation PCVD, est celle impliquant les electrons. Dependant de la nature des gas, l'interaction avec le gas d'electron donnera des especes excitees, des ions, des radicaux libres etc etc...
Dans bien des cas, les electrons ne font que initier la reaction, ou les premieres especes crees donneront lieu a des reactions par exemple de polymerisation ou autre.
Je ne peut bien evidemment pas tirer de regle generale, car la nature et deroulement des reactions depent en premier lieu de la nature meme des gas introduit dans la chambre plasma.
voila, j'espere que ca repond a tes questions.
Max
Salut,
Max, merci beaucoup d'avoir pris le temps de répondre à ma question
