Comportement d'un JFET à l'envers ?

[erff]

Bonjour,

Je me posais la question suivante : vu que la structure d'un JFET est symétrique (enfin on l'apprend ainsi, sûrement pour simplifier), si on polarise un JFET avec Vgd<0, et Vds<0 (c'est pas orthodoxe certes) les lois devraient être identiques à celles qui décrivent le comportement pour Vgs<0 et Vds>0 (en permutant d et s dans les calculs).
Hors j'ai vu en cherchant un peu sur le net, que "certains JFET ont des drains et sources interchangeables" (tels que le BF245), ce qui veut dire que les autres n'ont pas cette propriété. Je me demande alors les raisons de cette dissymétrie, et j'ai beau chercher, je ne trouve rien là dessus. Si c'est au niveau de la fabrication (différentes géométries, dopages ?), quels avantages cela apporte ?
Si quelqu'un a des éléments de réponse, de la biblio, je suis preneur.

Merci !
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[Tropique]

Bonjour,

Je me posais la question suivante : vu que la structure d'un JFET est symétrique (enfin on l'apprend ainsi, sûrement pour simplifier), si on polarise un JFET avec Vgd<0, et Vds<0 (c'est pas orthodoxe certes) les lois devraient être identiques à celles qui décrivent le comportement pour Vgs<0 et Vds>0 (en permutant d et s dans les calculs).
Hors j'ai vu en cherchant un peu sur le net, que "certains JFET ont des drains et sources interchangeables" (tels que le BF245), ce qui veut dire que les autres n'ont pas cette propriété.

Il serait plus correct de dire le contraire: certains (très rares) jFETs n'ont pas le D et S interchangeables.
Dans les FETs courants, de petite puissance, cela a pratiquement toujours à voir avec des histoires de capacités parasites, de blindage, ou de neutrodynage.
Par exemple, la géométrie NZF est purement symétrique, elle est plutot d'usage général:

NZF.JPG

Alors que la NZA ne l'est pas: la métallisation de gate est très clairement du côté du drain.
C'est un transistor VHF/UHF destiné à travailler en gate commun.

NZA.jpg

Dans les deux cas, ne pas oublier que c'est le substrat qui sert aussi de gate.

Je me demande alors les raisons de cette dissymétrie, et j'ai beau chercher, je ne trouve rien là dessus. Si c'est au niveau de la fabrication (différentes géométries, dopages ?), quels avantages cela apporte ?
Si quelqu'un a des éléments de réponse, de la biblio, je suis preneur.

Sorti des FETs "signaux", il peut y avoir d'autres raisons d'asymétrie de géométrie et de dopage, mais c'est quelque chose de rarissime, les jFETs de puissance étant aussi rares que le légendaire loup blanc, du moins depuis que Lovoltech s'est fait bêtement racheter par un ogre qui s'est empressé de bazarder leur portfolio de composants exclusifs

[erff]

C'est très clair !
Merci beaucoup !!!