amplificateur collecteur commun
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amplificateur collecteur commun



  1. #1
    invitea180b11d

    amplificateur collecteur commun


    ------

    bonjour
    quelqu'un peut m'expliquer comment calculer l'impédance de sortie dans un amplificateur collecteur commun
    merci d'avance

    -----

  2. #2
    LPFR

    Re : amplificateur collecteur commun

    Bonjour.
    Vous maintenez la tension d'émetteur à sa valeur actuelle et vous incrémentez la tension de basse (ou de la source) de dV. Ceci a pour effet d'augmenter le courant émetteur de dI.
    La résistance de sortie est dV/dI.
    Vous n'obtiendrez pas la même valeur si entre la source reliée à la base et celle-ci il y a une résistance (ou simplement la résistance de sortie de la source).
    Vous devez obtenir quelque chose comme (Rs + h11)/bêta.
    Éventuellement en parallèle avec la résistance d'émetteur,
    Au revoir.

  3. #3
    curieuxdenature

    Re : amplificateur collecteur commun

    Bonjour

    il me semble qu'il faut diviser la resistance de la source R1 (celle placée en entrée) par le béta du transistor, en simplifiant évidemment.
    La formule exacte est
    Zs(cc) = ve/ie = rho(R1+r) / (rho(1+béta) + R1 + r)
    ce qui donne des valeurs différentes si l'entrée est ouverte ou fermée.
    (environ 30 ohms à entrée fermée et ~100 K à entrée ouverte pour Ic~1 mA)


    Pour l'impédance d'entrée je présume que tu connais, environ Béta fois la resistance d'émetteur.
    L'electronique, c'est fantastique.

  4. #4
    invitea180b11d

    Re : amplificateur collecteur commun

    Citation Envoyé par LPFR Voir le message
    Bonjour.
    Vous maintenez la tension d'émetteur à sa valeur actuelle et vous incrémentez la tension de basse (ou de la source) de dV. Ceci a pour effet d'augmenter le courant émetteur de dI.
    La résistance de sortie est dV/dI.
    Vous n'obtiendrez pas la même valeur si entre la source reliée à la base et celle-ci il y a une résistance (ou simplement la résistance de sortie de la source).
    Vous devez obtenir quelque chose comme (Rs + h11)/bêta.
    Éventuellement en parallèle avec la résistance d'émetteur,
    Au revoir.
    pourquoi tu as divisé par béta j'ai essayé de retrouver le résultat a l'aide du theoreme de thevenin mais le béta n'y est pas

  5. A voir en vidéo sur Futura
  6. #5
    LPFR

    Re : amplificateur collecteur commun

    Citation Envoyé par someone00 Voir le message
    pourquoi tu as divisé par béta j'ai essayé de retrouver le résultat a l'aide du theoreme de thevenin mais le béta n'y est pas
    Re.
    Je ne sais pas ce que vous avez fait avec Thévenin.
    En gros, de la base vous voyez ce qui a dans l'émetteur multiplié par bêta. Et de l'émetteur vous voyez ce qui est dans la base divisé par bêta.
    Avez-vous utilisé la méthode que je vous ai donnée?
    Comment avec-vous calculé dI?
    Connaissez-vous combien vaut d(Vbe)/d(Ib)?
    Savez-vous ce qu'est bêta?
    J'arrête pour ce soir. À demain.
    A+

  7. #6
    invitea180b11d

    Re : amplificateur collecteur commun

    A vrai dire j'ai pas bien compris votre méthode j'entends toujours cette phrase 'de la base vous voyez ce qui a dans l'émetteur multiplié par bêta' sans la comprendre
    pourriez vous m'expliquer plus en détail s'il vous plait

    merci

  8. #7
    predigny

    Re : amplificateur collecteur commun

    Citation Envoyé par someone00 Voir le message
    A vrai dire j'ai pas bien compris votre méthode j'entends toujours cette phrase 'de la base vous voyez ce qui a dans l'émetteur multiplié par bêta' sans la comprendre
    pourriez vous m'expliquer plus en détail s'il vous plait
    merci
    En gros,... le courant dans la base est B fois plus petit que dans l'émetteur pour à peu près la même tension, ça veut dire que l'impédance "vue" de la base est B fois plus élevée que si il n'y avait pas le transistor (ou que le transistor avait un gain en courant de 1).

  9. #8
    LPFR

    Re : amplificateur collecteur commun

    Bonjour.
    Commençons par les caractéristiques courant-tension de la jonction base-émetteur.
    Le courant dans une jonction est donne par:



    Is est une constante, q est la charge de l'électron, k la constante de Boltzmann et T la température absolue de la jonction. À la température ambiante (ce qui est rare pour un transistor en fonctionnement) kT/q vaut quelques 25 mV.
    Calculons la résistance dynamique de cette jonction c'est à dire d(Vbe)/d(Ib):



    Ce qui nous donne:



    Ceci donne au peu près les 30 Ω pour 1 mA dont parlait Curieuxdenature.

    La résistance d'entrée du transistor (en émetteur commun) d(Vbe)/d(Ib) est:



    Revenons au montage collecteur commun.
    On a une source de tension U avec une résistance de sortie R connectée sur la base. Si on diminue la tension d'émetteur de dV, cette variation de tension se retrouvera distribuée entre la résistance R et la jonction:



    Et comme je vous avais dit, la résistance de sortie est égale à dV/d(Ie)=



    À laquelle il convient d'ajouter la résistance d'émetteur en parallèle (si elle est là).

    Pour ce qui est de "ma" phrase, Predigny vous l'à expliqué.

    Au revoir.

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