Bonjour!
Je travaille actuellement sur le probleme de l'interaction entre un rayonnement laser et un materiau semiconducteur (et plus generalement dielectrique) en me basant sur le modele de lorentz (dit de l'electron elastiquement lie): un electron du milieu est soumis a une force dite de rappel F1= -m.ω02.x , a une force de frottement (due aux interactions avec le reseau principalement) F2= -m.γ.dx/dt et enfin a la force electrique due au laser F3=-e.E.cos(ω.t). En appliquant ensuite l'equation de Newton et en se placant en regime force on deduit ainsi x(t) et par suite la polarisabilite du milieu et la constante dielectrique en fonction de la frequence de l'onde incidente.
Le souci est que je cherche a trouver les dependances en temperature de ω0 et γ. Pour γ je vois a peu pres comment m'y prendre en exprimant cette variable en terme de temps de relaxation et en cherchant du cote de l'interaction electron-phonon ou electron-impuretes ionisees pour la dependance en temperature. En fait le probleme est surtout pour l'origine de ω0. Je sais qu'il s'agit de la "frequence de resonance naturelle des atomes" mais comment l'exprimer?? Quel sont le ou les phenomenes physiques a l'origine de cette frequence?? J'ai vu dans certaines publications que cette frequence pouvait etre liee a des transitions dues aux excitons via un "excitonic band gap" (excusez moi je ne connais pas la traduction francaise) mais si je connais les excitons, j'ignore ce que ce terme anglais designe exactement...
Quelqu'un peut-il m'aider? Je suis rellement coince par ce problemeMerci davance!
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