Bonjour,
Dans un article scientifique sur le MIS capacitor, j'ai du mal à comprendre le passage suivant :
" The quality of the interface between the InSb and the insulator is governed by the density of surface/interface states".
Je voudrais savoir à ce qu'on entend par "densité d'état de surface".
Merci
Bonjour.
Quand vous arrivez à l'interface entre un cristal et autre chose, la belle périodicité du cristal est perdue est des défauts apparaissent. Ces défauts créent des nouveaux états localisés à l'interface (un peu comme les états crées par les atomes dopants).
La densité (le nombre d'états par unité de surface ou par eV ou les deux) donne le nombre des ennuis auxquels on peut s'attendre.
Au revoir.
Bonjour,
Cela fait-il référence au diagramme d'énergie ? Je ne comprends pas ce qu'est exactement un "état localisé".
Re.Envoyé par asteque_net
Bien sûr. Quand vous travaillez avec des semi-conducteurs, tout se réfère au diagramme de bandes.
Un état localisé est un état qui ne s'étend pas dans toute la masse du cristal mais qui est localisé autour d'un atome ou un défaut. Les "trous" ou électrons liées à cet état sont piégés et ne contribuent pas à la conduction.
A+
Ok,
Donc si j'ai bien compris, c'est en partie pour cette raison qu'on fait généralement des désoxydations et des passivations, non ?
Re.
C'est bien ça.
A+
Re,
Merci
Re,
En fait j'ai une autre question. Je suis allé sur wikipédia en version anglaise pour la densité d'états de surface. Mais je n'ai rien trouvé sur le fait qu'ils soient positifs ou négatifs. Hors apparemment, d'après l'article, le fait qu'il soit positif ou négatif à un impact au niveau des courbes caractéristiques Capacité/Tension des capacités MIS. C'est quoi le niveau de référence pour dire si l'état de surface est positif ou négatif ?
Re.
Quel est le sens de "positif ou négatif" dans votre question? Électrique ou utilitaire?
Les états de surface ont des charges qui dépendent de leur position dans le gap et par rapport au niveau de Fermi. Exactement comme les atomes dopants.
Pour ce qui est de l'utilité, les états de surface, s'ils sont chargés électriquement, peuvent décaler la courbe capacité/tension. Mais je ne sais pas si l'effet est important.
A+
Re,
ça doit être par rapport au niveau de Fermi.
Je cite le passage :
" If surface states are present in significant concentrations, the flat band voltage, as indicate in Fig 1 will not be near 0 V bias. Positive surface states will move the CV-curve for a p-MOS capacitor (n-substrate) towards accumulation and negative surface states will move the CV-curve towards inversion at zero bias. The density of surface states is an indication of the quality of the semiconducotr-insulator interface and must be minimized for optimum device performance."
Re.
Lisez bien: c'est ce que j'ai dit. L'état de charge des états peut décaler la courbe capacité/tension.
A+
