Bonjour,
J'ai un exercice sur les semi-conducteurs extrinsèque que je ne comprend pas vraiment.
Voila l'énnoncé :
un cristal est simultanément dopé à l'arsenic (concentration Nd atomes m^-3) et à l'indium (concentration Na atomes m^-3) qui introduisent deux niveaux Ed et Ea.
On concidère dans cette question le cas d'un dopage à l'arsenic (Na =0)
Représentez qualitativement l'évolution de la densité n d'électrons libres en fonction de la température T(de 0K à 750K) pour un silicium intrinsèque, puis un silicium dopé à l'arsenic.
Ou se trouve Ef lorsque la température T est égale à 0K ? Montrer q'il existe 3 zone de température pour lesquelles le semi-conducteur a des propriétés caractéristiques. Donner pour chacune d'elles l'expression de n en fonction de T. Dans quel plage de température à t-on une concentration n constantes ?
donée :
Ec-Ev = 1.1ev
Ec-Ed = 0.05eV
Nc = 10^4*Nd
Nv = 6.10^3*Nd
Nd = 5.10^21m^-3
k = 1.38*10^-23
Je zappe les graphisme...
Ef = (Ec-Ev/2)+(kT/2)*ln(Nv/Nc) = (1.1/2)+0 = 0.55eV
les 3 zones de températures sont :
[0,T1] : gel d'impureté
[T1,T2] : régime d'épuisement
[T2, T] : régime intrinsèque
les caractéristiques pour [0,T1] : gel d'impureté
(Nd+)<Nd
n = p+(Nd+)
or p=0 donc n=Nd+
Nd+ = Nd(1-f(Ed))
= Nd(1-(1/(1+exp(Ed-Ef/kT)))
= Nd.exp(Ed-Ef/kT)
les caractéristiques pour [T1,T2] : régime d'épuisement / [T2, T] : régime intrinsèque
Nd+=Nd
n=p=ni = V(Nc.Nv).exp(-Eg/kT)
Ce que je comprend pas c'est les caractéristique de [0,T1]
quel est la différence entre Nd+ et Nd ?
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