Bonjour,
En fait, j'ai fait des recherches sur la jonction Pn et j'ai vraiment du mal l’expliquer.
voilà ce que j'ai écrit pour l'instant :
"Quand on met en contacte la zone de dopage P et N en contacte, cela forme une diode. A la jonction entre les 2 apparait une zone appelée « zone de charge d’espace » où les concentrations d’atome font passer les électrons et les trous du types P au N et vice versa. Effectivement, cette zone apparait car les électrons de la zone N on une tendance à aller vers la zone P car ils sont attirés par les trous, et les trous par les électrons. C’est notamment grâce à cette échange Trou-électrons que va pouvoir se créer un champ électrique à l’intérieur du semi-conducteur et qui va contrebalancer les charges et va faire tendre le système vers sa position de repos donc à l’équilibre. C’est de ce contact entre 2 zones de charges opposé que sont formés les cellules photovoltaïques et pour pouvoir récupérer le courant produit à l’intérieur de celle-ci, il faut ajouter des contacts électriques au bornes.
NB ; la jonction PN convient au Silicium car sous illumination il y a l’apparition d’un photon courant qui dépend de la surface du matériaux et proportionnelle au flux lumineux. Cependant, pour les cellules amorphes, par exemple, ce système ne convient pas car la photoconduction est trop faible. C’est pourquoi pour le silicium amorphe on ajoute une zone non dopé, « intrinsèque », entre la zone P et N et qui va permettre la création du champ électrique qui va se répandre dans toute la couche intrinsèque. Donc pour le SI amorphe on a une jonction P-I-N (on dira que c’est un tripôle) "
Voilà , pouvez vous me dire si c'est correcte s'il vous plait si je dois rajouter des notions ou pas sacahant que c'est dans le cadre d'un travail de maturité sur les cellules photovoltaïques.
Bien à vous et merci d'avance
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