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Fabrication de circuits intégrés



  1. #1
    l'apprentis

    Fabrication de circuits intégrés

    Salut,
    Je voudrais savoir comment ca passe la fabrication de circuit intégrés. De la conception à la mise en boitier en fait. J'ai déja fait quelques recherches, mais il y a tout de même peu de ressources la dessus. (j'ai trouver tout de même beaucoup d'infos.)
    Je shouaiterais à but pédagogique pour l'instant obtenir le plus d'info possible la dessus.

    Merci.

    PS: Je sais que le logiciel "Cadence" est utilisé dans ce millieu. Existe il des logiciels de ce genre mais gratuit ? Merci.

    -----

    Dernière modification par l'apprentis ; 04/04/2007 à 20h34.

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  3. #2
    nams2590

    Re : Fabrication de circuits intégrés

    Salut,

    Je sais pas si ça peux t'aider, mais essai de chercher au niveau des waffers, qui sont les galètes de silicium sur lesquels sont réalisés les circuits intégrés.

    Par exemple ici :

    http://fr.wikipedia.org/wiki/Wafer

    Bon courage.
    namselectro

  4. #3
    Toufinet

    Re : Fabrication de circuits intégrés

    Salut,

    J'ai eu quelques notions.

    Tout part d'un cylindre de silicium ( généralement ), que l'on fabrique avec du sable ( généralement ). On essai d'obtenir un silicium le plus pur possible. Qualitativement parlant, ces cylindres font dans les 20cm de diamètre.

    Ensuite, on découpe ce cylindre en tranches, selon des plans bien précis ( on ne découpe pas "au pif" ). On les découpe dans les plans réticulaires constitués par le réseau de bravais ( le silicium se cristalise en réseau cubique à face centrée si mes souvenirs sont bons ). Ceci pour obtenir une face la plus parfaite possible. On obtient ce qu'on appelle un Wafer

    Ensuite, on passe au processus de fabriquation de la puce. Les puces ne sont que des combinaisons de jonctions PN ( régions dopées P ( dopée par des atomes accepteurs d'électrons ), et régions doppées N ( doppée par des atomes donneurs d'électrons ) ). Les couches P et N sont définis par les concepteurs de puce, via différents language, et la densité d'impuretées ( les impuretées sont les atomes donneurs / accepteurs d'électrons ). Le "mapping" des régions P et N est réalisé par un logiciel associé à un ingénieur ( c'est son boulot quoi ) .

    Ensuite, on passe la plaque de silicium dans une machine qui va se charger de réaliser le "mapping". A ma connaissance il y a 2 méthodes pour dopper une région.
    1° par diffusion
    2° par "forçage" ( je n'ai plus le nom exact ). Ce procédé consiste à envoyer l'impureté avec une vitesse suffisament élevée pour s'incruster dans le silicium. Ce procédé possède l'avantage de pouvoir "maitriser" la profondeur à laquelle on place l'impureté. En pratique, on ionise l'impureté ( pour qu'elle soit chargée, et ainsi qu'on puisse l'accélérer par différence de potentiel ou autre ), puis on l'accélère, puis on l'envoie sur la plaque de silicium. Entre les 2, on place un flux d'électrons, qui va ainsi rendre la propriété donnatrice / acceptrice à l'impureté, que l'on avait enlevé lors de l'ionisation.

    Voilà tout ce que je sais.
    Ensuite, pour le "plaçage" des pins et du boîtier, je n'ai pas eu de cours ... La mise en boitier n'est sans doute pas très compliqué, mais pour les pins, il doit y avoir un process plus complexe que pour la mise en boitier.

    Les autres, peut-être ?

  5. #4
    rammstein

    Re : Fabrication de circuits intégrés

    salut,
    moi j'ai une emission de télé "c'est pas sorcier" sur la puce électronique qui est vraiment bien. le seul truc c'est que je sais pas comment faire pour vous la faire partager. si vous avez des sugestions.
    a+

  6. #5
    l'apprentis

    Re : Fabrication de circuits intégrés

    Salut à tous,

    nams2590 et Toufinet >
    Merci pour les infos, je crois que ce sujet m'intéresse énnormément je vais continuer des recherches "plus poussées".

    rammstein > Je sais pas si légalement tu as le droit de la mettre en ligne.

  7. A voir en vidéo sur Futura
  8. #6
    rammstein

    Re : Fabrication de circuits intégrés

    salut a tous,
    voila le lien del'emission c'est pas sorcier sur la puce electronique:
    http://www.megaupload.com/fr/?d=VMG37Z49
    a+

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  10. #7
    santaro

    Re : Fabrication de circuits intégrés

    Bonjour,
    Je voudrais savoir pourquoi on parle de "masque" dans le cadre de la fabrication de circuits intégrés.
    Merci d'avance

  11. #8
    Dark_Quantum

    Re : Fabrication de circuits intégrés

    Bonjour,
    La discussion date mais comme je tombe dessus j'en profite pour donner quelques infos que j'ai lu.

    Citation Envoyé par santaro Voir le message
    Bonjour,
    Je voudrais savoir pourquoi on parle de "masque" dans le cadre de la fabrication de circuits intégrés.
    Merci d'avance
    Pour répondre à la question de Santaro:
    Il y a diverses étapes dans la réalisation d'un circuit intégré. Une fois qu'on a obtenu des wafers de Silicium, voici une serie d'étapes possibles pour la fabrication d'un circuit intégré (http://fr.wikipedia.org/wiki/Circuit_int%C3%A9gr%C3%A9):

    Préparation de la couche : on expose le wafer à du dioxygène pur après chauffage pour fabriquer une couche d'oxyde (isolant) en surface, ensuite le wafer est recouvert d'un vernis photosensible.
    Transfert : on transfère le dessin du circuit à reproduire sur la surface photosensible à l'aide d'un masque, comme pour la peinture au pochoir, en l'exposant aux ultraviolets, (ou aux rayons X, pour les gravures les plus fines). Le vernis non soumis aux rayonnements est dissout grâce à un solvant spécifique.
    Gravure : l'oxyde de silicium est protégé par le vernis aux endroits exposés aux ultraviolets. Un agent corrosif va creuser la couche d'oxyde aux endroits non protégés.
    Dopage : on dissout ensuite le vernis exposé avec un autre solvant, et des ions métalliques, appelés dopants, sont introduits dans le silicium exposé là où l'oxyde a été creusé, afin de le rendre conducteur.
    Couche suivante : l'opération est renouvelée pour créer les couches successives du circuit intégré ou du microprocesseur (jusqu'à 13).

    Le masque c'est en fait une sorte de pochoir, là où il y a des trous la lumière UV passe sur le wafer et le reste est caché de la lumière UV (comme si tu avait un pinceau, tu peins sur ton wafer recouvert du pochoir/masque et là où il y a des trous la peinture attérit sur la wafer et là où c'est caché par le masque pas de peinture sur le wafer, juste sur le masque mais lui on s'en fiche on le retire après, et tu as ton dessin bien délimité sur le wafer comme tu le voulais. Dans notre cas la peinture c'est le rayonnement lumineux, et le masque est placé sur un wafer qu'on aura au préalable recouvert de résine (ce qu'ils appellent "vernis" dans la page wikipédia).
    Il existe différentes résines (positives et négatives): soit c'est la partie de la résine qui était caché de la lumière qui sera par la suite retirée par un produit chimique (solvant), soit c'est la partie exposée au rayonnement qui sera éliminée. Selon le type de résine on adapte le pochoir/masque. Ca te permet de réaliser le motif de ton circuit sur le wafer.

    L'utilisation d'un masque pour le transfert du motif c'est l'étape de lithographie ou plus précisément dans ce cas photolithographie (car utilisation de résine photosensible qui réagit au rayonnement lumineux. On peut aussi faire de la lithographie électronique et dans ce cas le rayonnement lumineux est remplacé par un faisceau électronique et la résine est une résine électro sensible).

    Citation Envoyé par Toufinet Voir le message
    Ensuite, on passe la plaque de silicium dans une machine qui va se charger de réaliser le "mapping". A ma connaissance il y a 2 méthodes pour dopper une région.
    1° par diffusion
    2° par "forçage" ( je n'ai plus le nom exact ). Ce procédé consiste à envoyer l'impureté avec une vitesse suffisament élevée pour s'incruster dans le silicium. Ce procédé possède l'avantage de pouvoir "maitriser" la profondeur à laquelle on place l'impureté. En pratique, on ionise l'impureté ( pour qu'elle soit chargée, et ainsi qu'on puisse l'accélérer par différence de potentiel ou autre ), puis on l'accélère, puis on l'envoie sur la plaque de silicium. Entre les 2, on place un flux d'électrons, qui va ainsi rendre la propriété donnatrice / acceptrice à l'impureté, que l'on avait enlevé lors de l'ionisation.
    Pour préciser ce qu'a écrit Toufinet sur les méthodes de dopage:
    La méthode 2 (par forçage), je crois que ça s'appelle l'implantation, le dopage par implantation d'espèces chimiques (implantation ionique).


    Voilà, en espérant que ça donne des pistes à ceux qui tomberaient sur la discussion au cours de leurs recherches

    Dark Q.

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