probleme avec la jonction PN

[invite93279690]

Bonjour, j'ai un petit souci de comprehension au niveau de la jonction PN.Lorsque l'on regarde la caracteristique de cette diode, il intervient une "tension de seuil" à partir de laquelle ,en premiere approximation, on estime que la diode est passante et lorsque l'on etudie la jonction PN non polarisée il intervient une difference de potentiel Vo qui est due à la diffusion des porteurs majoritaires de part et d'autre de la jonction.Il me semble que pour les diodes en silicium Vo est de l'ordre de 0,6 V mais il me semble egalement que la "tension de seuil" est de l'ordre de 0,6V(pour les diodes en silicium).....est ce une coincidence ou existe-t-il un lien quelconque entre le tension de seuil et la ddp interne de la jonction?

merci pour vos reponses
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[invited82c8d16]

Salut gatsu

La relation est évidente.
C'est en effet la tension de seuil due aux charges opposées
dans les deux zones dopées P et N qui est le seuil de conduction.
Pour rendre la jonction passante il faut apporter suffisament
d'énergie dans la zone de déplétion afin de "l'effacer".

A+
Joe

[invitec7bf0b7c]

Le message était en doublon sur la section physique, j'y ai répondu la même chose (peut-être en plus long et moins clair )...

[invitec7bf0b7c]

D'ailleurs il faudrait que vous alliez jeter un oeil sur le sujet de la section physique car nous sommes en train de tourner en rond... Un avis plus éclairé serait une bonne aide

[A voir en vidéo sur Futura]