pour commencer j'ai dejà posé cette question dans le forum d'electronique et il semble que personne ne soit inspiré...pour etre franc j'ai egalement posé la question à mon prof d'electronique et il m'a dit que ce n'etait pas de son ressort et que c'etait une question de physique des semi conducteurs voici donc mon probleme:
"j'ai un petit souci de comprehension au niveau de la jonction PN.Lorsque l'on regarde la caracteristique de cette diode, il intervient une "tension de seuil" à partir de laquelle ,en premiere approximation, on estime que la diode est passante et lorsque l'on etudie la jonction PN non polarisée il intervient une difference de potentiel Vo qui est due à la diffusion des porteurs majoritaires de part et d'autre de la jonction.Il me semble que pour les diodes en silicium Vo est de l'ordre de 0,6 V mais il me semble egalement que la "tension de seuil" est de l'ordre de 0,6V(pour les diodes en silicium).....est ce une coincidence ou existe-t-il un lien quelconque entre le tension de seuil et la ddp interne de la jonction?"
merci pour vos reponses
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