relais statique : chute de tension < 0,1 V

[tubifexx]

Bonjour tout le monde

Est il possible de realiser, a laide de quelques composants, un relais statique fonctionnant sur courant continue, pouvant commuter j'usqua 1 ampère continue et n'induisant qu'une chute de tension de &lt; 100mV ?


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[Jack]

salut,

ça risque d'être difficile. dans cette gamme de puissance, la tension à l'etat passant vaudra au moins quelques centaines de millivolts.

A+

[constantin]

oui,
prend un transistor NMOS.
A+

[Pierrre]

Bonjour
OK avec Tubifexx

Un petit exemple: Mos canal N IRF540
Rdson= 0.077ohms
dans ton cas, la chute de tension sera 0.077*1=0.077V--->OK

A noter qu'il existe des transistors mos "a niveau logique" : il peuvent etre commandes directement par une porte logique TTL ou Cmos alimentee en 5 V (les autres transistors mos doivent avoir une commande en 12 V)

A+

[A voir en vidéo sur Futura]

[tubifexx]

OK merci du coup de main.

Je vais essayer avec le mosfet IRFZ44 canal N (le seul que je possede) :

Rds(on) : 0,024 ohms
Vdss (Drain-to-Source Voltage) : 60 V
Id (Continuous Drain Current) : 50 A
Vgs (Gate-to-Source Voltage) : +/- 20 V
Vgs(th) : 2,0 V (min) à 4,0 V (max)

Bon si j'ai bien compris : La tension max drain source est de 60 V. Je commande le transistor par la gate avec une tension de 4 v au maximum (plus la tension de commande est positive et plus le transistor conduit).

Petit test avec du 12 V et resistance de charge de 23 ohms (brancher au drain) la Gate recois 3,945 V via un LM317T :
Je mesure une difference de potentiel aux bornes de la resistance de 11,73 V, entre drain et source : 60 mV.

au final et malgré une resistance interne de 0.024 ohms du mosfet je perd 0,27 V !! alors si vous pouviez m'apporter vos lumieres sur les conditions de declanchement en commutation du IRFZ44, j'ai peur d'avoir peut etre oublier qqch.

merci

[Pierrre]

Bonjour
Avec une tension de 4 v sur la grille, ton transistor n'est pas "sature" (est-ce le terme exact pour un mos ?) et donc sa Rdson n'est pas minimale.
Essai avec une tension de 12 à 15 V sur la grille et ça devrait etre OK.
La grille est fortement capacitive et si les commutations sont rapides, il faut une commande capable de fourni un courant assez eleve.

Seul les mos a commande logique se contentent d'une tension de 5 V sur la grille.

voili

A+

[Jack]

salut,

je viens de regarder la caractéristique Vds / Id et, pour un Vgs de 5V, tu auras moins de 100mV en Vds pour un courant Id de 1A. Tu peux donc y aller.

Avec une tension de 4 v sur la grille, ton transistor n'est pas "sature" (est-ce le terme exact pour un mos ?) et donc sa Rdson n'est pas minimale.

Effectivement, ce n'est pas le terme exact pour les transistors à effet de champ. On dit que ce type de transistor est saturé lorsqu'il est utilisé dans sa zone linéaire (partie horizontale de la caractéristique. C'est vrai qu'au début ça prête à confusion.

A+

[tubifexx]

je vais essayer avec du 12 v...

Tiré du datashet :
Vgs(th) (Gate Threshold Voltage) : 2,0 V (min) à 4,0 V (max).
KESAKO ???

Tubifexx_qui_a_peur_de_grillé_ son_transistor_mais_c_po_tres_ grave_il_lui_en_restera_4 !!

[Jack]

le Vgs(th), c'est la tension de seuil (threshold) à partir de laquelle le transistor entre en conduction.

Plus Vgs sera élevé et plus ta tension Vds sera faible comme l'a fait remarquer Pierrre. Essaie tout de même avec un Vgs de 5V si ta logique fonctionne sous cette tension.

A+

[tubifexx]

Oui, avec du 5 V c'est beaucoup mieux (11,96 V)

Merci a tous