data sheet

[inviteec0c9d8b]

Bonjour rabih et tout le groupe

Tu as bien compris

Tu dois avoir ça dans la datasheet, mais ailleurs, là où on te donne les caractéristiques max à ne pas dépasser. Dans ton cas, un Icmax, un Pmax (qui échaufferait trop), un Ibmax ...

Je sens que tu fais encore une confusion avec cette saturation. Ce n'est pas une "caractéristique du transistor", mais un "statut", qui résulte de la conjugaison d'une source d'alimentation, d'une résistance de charge, d'un courant base que toi, tu imposes au transistor. C'est à cause de (ou grâce à ) ses caractéristiques, que tout cela place le transistor dans la zone de saturation, bien visible sur le lien que j'ai fourni.

Chaque montage est caractérisé par son mode de fonctionnement. Les signaux analogiques sont généralement traités en linéaire, les alimentations "normales" aussi, les amplis de signaux ...

En logique ou en matière d'alim à découpage, c'est bloqué/saturé.

Si tu n'as rien d'autre, tu prends cela, qui, de toute façon, n'est qu'indicatif. Il feut aussi s'appeler "forward current transfert ratio" et il y en a plein d'autres.

Si tu as un multimètre numérique avec test de transistor, tu peux avoir une petite indication très basique. Le testeur calcule le rapport entre Ic et Ib, en fixant l'un des deux, environ autour du milliampère de Ic. Quand tu trouves 10, ce n'est pas fameux, quand tu trouves 500, c'est super. C'est souvent autour de 100.

bonjour pour tout le groupe
1-vous avez écrit:''Tu dois avoir ça dans la datasheet, mais ailleurs, là où on te donne les caractéristiques max à ne pas dépasser. Dans ton cas, un Icmax, un Pmax (qui échaufferait trop), un Ibmax ...''
c'est à dire on prend le Ic(Max) que peut supporter le transistor et qui se trouve dans la data sheet comme un Ic(sat) pour ce meme transistor pour faire nos calcul de Ic(sat)=Vcc/Rc?
2-vous avez écrit:''Je sens que tu fais encore une confusion avec cette saturation. Ce n'est pas une "caractéristique du transistor", mais un "statut", qui résulte de la conjugaison d'une source d'alimentation, d'une résistance de charge, d'un courant base que toi, tu imposes au transistor. C'est à cause de (ou grâce à ) ses caractéristiques, que tout cela place le transistor dans la zone de saturation, bien visible sur le lien que j'ai fourni.
oui je sais que c'est un statut pour le transistor, mais je voulais vous dire que c'est sur quelle valeur de Ic le transistor sera satué?
est ce que si son Ic=Ic(Max)? est ce que dans ce cas là le Ic(Max) serait le Ic(sat)?
3-vous avez écrit:''Si tu n'as rien d'autre, tu prends cela, qui, de toute façon, n'est qu'indicatif. Il feut aussi s'appeler "forward current transfert ratio" et il y en a plein d'autres.
c'est à dire dans le cas ou' il n'y a pas de beta dans la datasheet , je prends le ''hfe'' à la remplace de ''beta'' pour continuer mon travail?
4-vous avez écrit:''Si tu as un multimètre numérique avec test de transistor, tu peux avoir une petite indication très basique. Le testeur calcule le rapport entre Ic et Ib, en fixant l'un des deux, environ autour du milliampère de Ic. Quand tu trouves 10, ce n'est pas fameux, quand tu trouves 500, c'est super. C'est souvent autour de 100.[/QUOTE]
mais, comment tu as su qu'il est souvent autour de 100 ce qui est tres petit par rapport à 500?
pourquoi vous n'avez pas choisi une valeur moyenne par exemple la valeur 250?
merci
-----

[gienas]

Bonjour rabih et tout le groupe

... on prend le Ic(Max) que peut supporter le transistor et qui se trouve dans la data sheet comme un Ic(sat) ... 'Je sens que tu fais encore une confusion avec cette saturation ... mais je voulais vous dire que c'est sur quelle valeur de Ic le transistor sera saturé? ...

Ta nouvelle question est bien la preuve de ta confusion. Le Icsat "n'a lieu" qu'à la saturation, lorsque le point de fonctionnement à gauche de la caractéristique linéaire, presque horizontale. Dans la partie linéaire, le point de fonctionnement {Ic;Ib;Vce} est tel que Ic dépend de Ib, suivant la formule Ic=beta * Ib.

Le transistor peut être détruit ailleurs qu'à saturation, par excès de courant. Généralemment, il y a fusion de la jonction, par excès de puissance.

... c'est à dire dans le cas ou' il n'y a pas de beta dans la datasheet , je prends le ''hfe'' à la remplace de ''beta'' pour continuer mon travail? ...

Oui. Mais tu dois t'attendre, en pratique à trouver autre chose.

... pourquoi vous n'avez pas choisi une valeur moyenne par exemple la valeur 250? ...

Parce que, dans la pratique, la "moyenne" se situe entre 100 et 200.

[inviteec0c9d8b]

bonjour
vous avez écrit:

Ta nouvelle question est bien la preuve de ta confusion. Le Icsat "n'a lieu" qu'à la saturation, lorsque le point de fonctionnement à gauche de la caractéristique linéaire, presque horizontale. Dans la partie linéaire, le point de fonctionnement {Ic;Ib;Vce} est tel que Ic dépend de Ib, suivant la formule Ic=beta * Ib.

mais, quelles sont les causes ou les conditions qui poussent ou qui conduisent le transistor à se saturer pour savoir la valeur du courant que peut supporter le collecteur pour que le transistor soit saturé?
merci

[Jack]

mais, quelles sont les causes ou les conditions qui poussent ou qui conduisent le transistor à se saturer

J'ai essayé de te l'expliquer simplement dans le post #27 avec le robinet

Tu as quand même bien compris que le courant de collecteur ne pouvait pas dépasser Vcc/Rc? Donc le transistor est saturé lorsque le courant de collecteur n'augmente plus alors que tu augmentes le courant de base.

[gienas]

Bonjour rabih et tout le groupe

Je me suis permis de revoir la disposition de ta question, pour qu'elle soit plus commode à lire.

... mais, quelles sont les causes ou les conditions qui poussent ou qui conduisent le transistor à se saturer pour savoir la valeur du courant que peut supporter le collecteur pour que le transistor soit saturé?
merci

Je ne sais pas répondre à ta question.

Ce sont les caractéristiques réelles du transistor, dont une image se trouve sur le lien que je donne au #28, à la page 23 du document, qui vont déterminer avec ce que l'on appelle la "droite de charge" (dont tu peux demander à google la signification), un point d'intersection, qui sera le point de fonctionnement du transistor. En regardant visuellement la position de ce point sur la caractéristique, c'est toi qui constateras/décidera/jugera que le transistor est ou non saturé.

Le tracé de la droite de charge dépend exclusivement de l'environnement du transistor: sa tension d'alimentation collecteur et la résistance de charge qui y est placée. Comme tu le vois, tout dépend de toi, et non pas du transistor, qui, dans le système, subit son environnement, mais, malgré tout, n'en fait qu'à sa tête .

Edit: grillé par Jack, qui ne fait que confirmer ce que je tente d'expliquer.

[inviteec0c9d8b]

J'ai essayé de te l'expliquer simplement dans le post #27 avec le robinet

Tu as quand même bien compris que le courant de collecteur ne pouvait pas dépasser Vcc/Rc? Donc le transistor est saturé lorsque le courant de collecteur n'augmente plus alors que tu augmentes le courant de base.

bonjour jack
oui je sais que ''le transistor est saturé lorsque le courant de collecteur n'augmente plus alors que tu augmentes le courant de base'', mais lorsque nous somme en entraine de realiser un montage en utilisant un transistor, est ce qu'il faut essayer à faire jouer avec les courants Ic et Ib pour que le transistor soit saturé, je croix que ce n'est pas une methode pour savoir quel courant va saturer le transistor?
il faut y avoir certain calcul pour la connaissance de ces courants, n'est ce pas?
merci

[Jack]

Oui, bien sur.

Giénas et moi te l'avons déjà donné à plusieurs occasions
message #19:

Aussi, le premier réflexe à avoir, en présence d'un montage, c'est de

1- calculer le courant de saturation. C'est généralement Isat=Vcc/Rc

La saturation suppose que le transistor est en court circuit, donc équivalent à un interrupteur fermé, ce qui explique la formule.

2- Calculer le produit Ib * beta , qui n'est pas forcément le courant collecteur.

3- comparer ce produit Ib*beta avec Isat, pour déterminer le vrai courant:

- si Ib*beta < Isat alors -> Ic=Ib*beta

- si Ib*beta >= Isat, alors Ic=Isat, on est à saturation.

message #27:

A un moment, on aura beau continuer à dévisser le robinet, le débit n'augmentera plus car le débit maxi permis par la pression et le diamètre des tuyaux est atteint: le transistor est saturé, Ic < beta.Ib

Je ne vois pas comment te l'expliquer plus simplement. Je le récris autrement à tout hasard.

le transistor est saturé si Ib > beta.Ic

[gienas]

Bonjour rabih et tout le groupe

Tout comme Jack, je ne vois pas plus simple

... le transistor est saturé si Ib > Ic/beta

Que l'on peut traduire, dans ton montage expérimental par la séquence suivante:

1- ton montage est prêt, avac Ib=0 et donc Ic=0 -> blocage.

2- tu montes lentement lb, et remarques que Ic augmente, beta fois plus vite.

3- à un moment précis, Ic s'arrête de monter. Tu viens d'atteindre la saturation.

En 1, c'est le blocage. On a Vce=Vcc

En 2 c'est le fonctionnement linéaire.

A partir de 3, Vce=Vcesat

Remarque: à partir de 3, si l'on pinaille, on verra que Vcesat bouge encore un peu, mais si peu que l'on néglige (le plus souvent) ces variations.

Exemple, on relève début de saturation avec Vcesat=0,85V et Ib.

En multipliant Ib par 10, le Vcesat va passer à 0,82V. Mes chiffres sont pris au hasard, et, peut-être, (à peine) exagérés.


Edit: en me relisant, il me vient une idée sur ta confusion possible.

1 et 2 sont bien des points, pour lesquels un "calcul" est possible. Même pour le blocage (en négligeant les fuites). Ic=beta * Ib

Le 3 n'est pas un point, mais une zone, dans laquelle les calculs cessent d'exiger le signe = mais plutôt des > ou <. Le comportement change de règle.

[inviteec0c9d8b]

Bonjour rabih et tout le groupe

Tout comme Jack, je ne vois pas plus simple

Que l'on peut traduire, dans ton montage expérimental par la séquence suivante:

1- ton montage est prêt, avac Ib=0 et donc Ic=0 -> blocage.

2- tu montes lentement lb, et remarques que Ic augmente, beta fois plus vite.

3- à un moment précis, Ic s'arrête de monter. Tu viens d'atteindre la saturation.

En 1, c'est le blocage. On a Vce=Vcc

En 2 c'est le fonctionnement linéaire.

A partir de 3, Vce=Vcesat

Remarque: à partir de 3, si l'on pinaille, on verra que Vcesat bouge encore un peu, mais si peu que l'on néglige (le plus souvent) ces variations.

Exemple, on relève début de saturation avec Vcesat=0,85V et Ib.

En multipliant Ib par 10, le Vcesat va passer à 0,82V. Mes chiffres sont pris au hasard, et, peut-être, (à peine) exagérés.


Edit: en me relisant, il me vient une idée sur ta confusion possible.

1 et 2 sont bien des points, pour lesquels un "calcul" est possible. Même pour le blocage (en négligeant les fuites). Ic=beta * Ib

Le 3 n'est pas un point, mais une zone, dans laquelle les calculs cessent d'exiger le signe = mais plutôt des > ou <. Le comportement change de règle.

Bonjour à tout le groupe
1-C'est-à-dire, en cas général on peut dire que le courant Ic(sat) n'a pas de relations avec les informations écrites dans les datas sheets des transistors , d'un autre terme on ne peut pas et on ne sait pas la valeur de Ic correspondant qui capable de faire saturer le transistor à partir des datas sheets, oui ou non?
2-Si oui, y a-t-il une méthode sans utiliser le pratique ou l'experience pour savoir le courant de Ic auquel le transistor se sature? ( car ce n'est pas un travail qu'à chaque fois qu'on veut installer un transistor ( en état de saturation) dans un montage au plus qu'on a des datas sheets, il faut raccourir à une experience pour savoir à quels courants IB et IC le transistor se sature)
3-d'autre part, supposons qu'on a un circuit qui consomme 10A, dans ce cas là il faut utiliser et chercher un transistor qui supporter les 10A soit par exemple le 2N3055 (15A), alors lorsqu'on installer ce transistor, est il necessaire de savoir s'il va travailler en saturation ou non, ou l'importance seulement est que ce transistor suportera les 10A?
Merci

[Jack]

1-C'est-à-dire, en cas général on peut dire que le courant Ic(sat) n'a pas de relations avec les informations écrites dans les datas sheets des transistors , d'un autre terme on ne peut pas et on ne sait pas la valeur de Ic correspondant qui capable de faire saturer le transistor à partir des datas sheets, oui ou non?

non

3-d'autre part, supposons qu'on a un circuit qui consomme 10A, dans ce cas là il faut utiliser et chercher un transistor qui supporter les 10A soit par exemple le 2N3055 (15A),

oui

alors lorsqu'on installer ce transistor, est il necessaire de savoir s'il va travailler en saturation ou non, ou l'importance seulement est que ce transistor suportera les 10A?

En tout cas, il faudra connaitre le Vce du transistor pour calculer la puissance qu'il va dissiper. La puissance max est donnée dans la doc.
Plus le transistor sera saturé et moins il dissipera, car la saturation fait diminuer le Vce.

[inviteec0c9d8b]

bonjour à tout le monde
c'est à dire d'une façon générale:
1-on calcule le courant du charge Ic qui est le courant qui va traverser dans le collecteur?
2-on cherche un transistor supportant un courant superieur ou égale à Ic?
3-on divise Ic par le coefficient hfe ( car dans la plupart des cas on n'a pas ''béta'' ), pour savoir le courant du base Ib necessaire.
4-pour trouver la résistance Rb convenable on applique la loi d'hom:
Rb=(VDD-0.6)/Ib ou' VDD est la tension quelle va alimenter la base ou
simplement la tension de commande.
*** est ce que cette méhode est juste ou il ya des trucs ou des choses cachées ou pas vraies?

[Jack]

J'abandonne. Si tu ne comprends toujours pas pourquoi et comment on sature le transistor, ça va encore durer des semaines sans avancer.

[DAUDET78]

ça va encore durer des semaines sans avancer.

Jack, j'ai admiré ta patience et tu as le droit aux "3 transistors" du guide Michelin des forums. Mais t'inquiète pas, Loulou va reposer la même question dans peu de temps ......

[Jack]

Jack, j'ai admiré ta patience

gienas va-t-il résister ?

[DAUDET78]

gienas va-t-il résister ?

Si il va jusqu'à la réponse #68, il aura le droit à "4 transistors" du guide Michelin des forums.

[gienas]

Bonjour roro1 et tout le groupe

Tout comme Jack, je commence moi aussi à être saturé

Je veux bien encore une fois, la dernière, tenter une mise sur la voie, probablement stérile, puisque tu refuses de prendre un cas concret, qui serait le seul moyen de mettre vraiment les choses au point, définitivement.

... on calcule le courant du charge Ic qui est le courant qui va traverser dans le collecteur? ...

Ceci est incontournable, et obligatoire.

... on cherche un transistor supportant un courant superieur ou égale à Ic? ...

Sauf que là, il faut être "large", et faire intervenir d'autres paramètres, dont la puissance dissipable par le transistor, sa vitesse, sa tension au blocage ...

... on divise Ic par le coefficient hfe ( car dans la plupart des cas on n'a pas ''béta'' ), pour savoir le courant du base Ib necessaire ...

Stop!

Là, je ne suis plus d'accord. Le beta est une "indication", pas une obligation, ni une garantie.


Si l'usage est le fonctionnement en bloqué saturé, en fonction du courant collecteur, de la dissipation, de l'échauffement ..., il faut s'intéresser à une grandeur de la datasheet, qui traite de la saturation. Comme cette saturation est très progressive, le constructeur peut donner (pas forcément), une garantie de maximum de tension de saturation, pour une intensité donnée au collecteur. Je crois avoir lu, pour un 3055, des garanties de Vcesat de 3V, avec un Ic de 10A, et un Ib de 4A, qui est très loin des 45 de beta supposés à des courants moindres, et hors saturation.

Donc, pour calculer la source de courant base destinée à assurer les courants nécessaires pour obtenir les saturations garanties par le constructeur, il faut imposer le courant base spécifié, en "oubliant" le beta, qui, dans ces conditions, ne veut plus rien dire.

Ma rédaction, commencée il y a près d'une heure, a été interrompue par un appel téléphonique m'a "un peu" retardé. Cependant, mon oreillette, en éveil, me signale que d'autres intervenants ont participé. Je confirme donc à Daudet que je n'ai pas résisté, mais, sauf erreur, ce devrait être la dernière fois.

[inviteec0c9d8b]

bonjour gienas
vous avez écrit dans le dernier message:
'' Donc, pour calculer la source de courant base destinée à assurer les courants nécessaires pour obtenir les saturations garanties par le constructeur, il faut imposer le courant base spécifié, en "oubliant" le beta, qui, dans ces conditions, ne veut plus rien dire.''
vous voulez de dire par ça qu'on fait notre calcul pour Ib=50ma dans le cas du transistor BC337 ce qui correspond dans la data sheet à Vce(sat)=0.7V etIc=500ma car on a pas la valeur du béta?
merci et excusez moi pour toutes cettes questions

[gienas]

Bonjour roro1 et tout le groupe

... vous voulez de dire par ça qu'on fait notre calcul pour Ib=50ma dans le cas du transistor BC337 ce qui correspond dans la data sheet à Vce(sat)=0.7V etIc=500ma car on a pas la valeur du béta? ...

Pour confirmer "mes" affirmations supposées, je préfère lire moi-même la data sheet de ton exemple.

Peux-tu nous en mettre ici la copie ou le lien, ainsi que la page d'où tu sors tes valeurs?

[inviteec0c9d8b]

Bonjour roro1 et tout le groupe

Pour confirmer "mes" affirmations supposées, je préfère lire moi-même la data sheet de ton exemple.

Peux-tu nous en mettre ici la copie ou le lien, ainsi que la page d'où tu sors tes valeurs?

oui bien sur voilà la data sheet.

[gienas]

oui bien sur voilà la data sheet.

Elle te dit que tant que la jonction est maintenue à 25°C, le courant collecteur étant de 500 mA, "grâce" à un courant base de 50 mA, tu peux espérer avoir une tension de saturation Vcesat au maximum égale à 0,7V.

[inviteec0c9d8b]

Elle te dit que tant que la jonction est maintenue à 25°C, le courant collecteur étant de 500 mA, "grâce" à un courant base de 50 mA, tu peux espérer avoir une tension de saturation Vcesat au maximum égale à 0,7V.

bonjour
alors dans le cas de ce data sheet comment vous faisez ou quels sont les parametres qu'il faut savoir pour arriver à calculer la résistance de base Rb pour une tension Vdd donnée si vous etes entraine de calculer vous meme la réristance Rb necessaire pour un montage donné.
N.B:vous pouvez mettre les conditions que vous voulez.
merci

[DAUDET78]

Si il va jusqu'à la réponse #68, il aura le droit à "4 transistors" du guide Michelin des forums.

il va les avoir ses "4 transistors" du guide Michelin des forums,le Genias!

[gienas]

Bonjour roro1 et tout le groupe

... comment faites-vous ou quels sont les paramètres qu'il faut savoir pour arriver à calculer la résistance de base Rb pour une tension Vdd donnée ...

C'est très simple.

1- il faut connaître le modèle de Thévenin de la source Vdd

2- lui ajouter la résistance Rb, inconnue.

3- fermer la maille par la jonction BE. Comme c'est approximatif, et que l'erreur est très minime, on l'assimile à une source idéale de tension de 0,65V, pour une telle intensité.

4- on fixe le courant de maille à 50 mA.

5- On pose l'équation de la maille, et l'on sort l'inconnue Rb, dont on calcule la valeur numérique, puisque c'est la seule inconnue de l'équation.

Cqfd