Bonjour,
Pour ma culture en électronique je voulais savoir quelques étaient les grandes différences entre un Transistor MOS en zone ohmique et un transistor bipolaire en zone de saturation.
Je vous remercie tous d'avance pour vos réponses !
Neptis
Bonsoir,
Succintement la zone ohmique pour un mos correspond à la zone linéaire pour un bipolaire, on ne peut donc pas comparer l'état saturer de l'un et la zone ohmique de l'autre.
On atteint la zone ohmique en quittant l'état "non passant" du mos lorsque la tension de grille Vg devient légèrement positive à la tension de source et atteint une tension de seuil V(Th), tension à partir de laquelle un canal très mince de type N se forme entre drain et source laissant circuler le courant.
Cette tension Vgs agit comme une vanne à électrons en conditionnant le champ électrostatique dans la zone séparant le drain et la source, et crée ainsi une zone d'inversion de type N.
Cette tension évoluant le canal s'élargit permettant le passage d'un courant plus élevé jusqu'à l'état dit "passant" ou de saturation du canal, se manifestant par un R(ds)on très faible.
Dans la zone dite "ohmique", le transistor développe une puissance Pd=Vds*Id qui peut être importante contrairement à la situation "passante" ou Vds étant quasi nul Pd est très faible.
@+
