Bonjour,
Dans le schéma joint, je ne sais pas quel transistor utiliser.
Est ce qu'un BS170 ou 250 ferait l'affaire ?
Merci pour vos tuyaux.
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Bonjour,
Dans le schéma joint, je ne sais pas quel transistor utiliser.
Est ce qu'un BS170 ou 250 ferait l'affaire ?
Merci pour vos tuyaux.
Bonsoir Gérard,
je ne vois pas bien le but du montage, c'est un oscillateur qui doit commander un mos ?
je ne vois pas à quoi servent les diodes, pour le rapport cyclique ? pas très orthodoxe comme montage ...
pour le mos, quelle puissance à controler (tension, courant) ?
Tout existe, il suffit de le trouver...!
Merci pour ta réponse, je vais préciser.
L'objectif est d'avoir un clignotement avec un très faible rapport cyclique.
Quand un évènement se produit, je voudrais modifier ce rapport cyclique en mettant une résistance de faible valeur (qq K quand même) dans le circuit par l'intermédiaire du transistor.
Et un bon vieux NE555 ???? Tu veux varier le ratio de combien à combien ?
en modifiant le seuil de commutation du 555 (en jouant sur la tension de modulation (pin 5)) tu obtient une modulation de la largeur d'impulsion. Voir le chapitre "pulse width modulation" dans la datasheet.
Tout existe, il suffit de le trouver...!
La question de départ concernait un transistor.
Je voulais savoir quel type de MOS on pouvait utiliser pour cette applic.
Pour moi, aucun.
sinon un switch analogique CD 4066 ou autres ... ce qui retire tout intérêt au montage
Et à la place de 1/4 de 4066, tu mettrais quoi ?
Un NE555 avec changement de rapport cyclique
Bonsoir
J'ai une solution à te proposer, avec un transistor MOSFET canal N.
Ce circuit permet d'avoir en sortie un niveau haut d'une durée constante, et un niveau bas variable selon l'état du transistor.
La durée du niveau haut est :
¨¨ tH = ln{(V'–VL)/(V'–VH)}.C1.R1.R2/(R1+R2)
avec :
¨¨ V' = (VOH–Vd).R2/(R1+R2)
où :
• VH est la tension de seuil haut du 4093
• VL est la tension de seuil bas du 4093
• VOH est la tension de sortie au niveau haut du 4093
• Vd est la tension directe de la diode D1
Lorsque VGS=0V (ou toute autre tension de commande inférieure au seuil VGSth) le transistor est bloqué, et la durée du niveau bas est :
¨¨ tL = ln(VH/VL).C1.R2.(R1+R3)/(R1+R2+R3)
Lorsque VGS=VCC (ou toute autre tension de commande suffisamment élevée) le transistor conduit, et la durée du niveau bas est :
¨¨ tL = ln(VH/VL).C1.R2.(R1+R3+R4)/(R1+R2+R3+R4)
NB: on doit nécessairement avoir V' > VH pour que l'oscillateur fonctionne.
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Merci pour ton explication.
Je vais y réfléchir à tête reposée.
A l'heure qu'il est, mes neurones sont mous.
Avec une porte ET qui traîne...
Je me permets tout de même de corriger ton schéma, afin de le rendre fonctionnel.
Ici on utilise toujours un MOSFET canal N. Afin de garantir une valeur correcte de sa tension de commande VGS, la source du transistor (S) a été directement branchée sur la sortie de la porte 4093.
Par rapport au schéma que j'ai présenté un peu plus haut, les différences sont :
- L'économie d'une résistance, mais l'utilisation d'une diode supplémentaire.
- Une tension VGS négative importante sur le transistor lorsque lorsque la sortie du 4093 est au niveau haut et que la commande du circuit est au niveau bas (VGS<–VCC). Cela impose une contrainte supplémentaire sur le transistor.
- Un blocage du transistor lorsque la sortie du 4093 est au niveau haut (du moins si la commande du circuit ne dépasse pas VCC+VGSth, ce qui n'est de toute manière pas très recommandé compte tenu de la contrainte précédente). Mais cet état est sans incidence sur le fonctionnement global du circuit.
Le principal intérêt que peut présenter ce circuit par rapport à celui que j'ai donné précédemment est une plus grande simplicité du calcul des résistances, et notamment l'absence de contrainte sur les valeurs de ces dernières pour que l'oscillateur fonctionne.
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Merci à vous 2 pour le temps passé.
Un BS170 ferait-il l'affaire ?
je vais en stage pour 3 jours et ne pourrai pas me connecter d'ici vendredi soir.
Pas d'inquiétude si vous ne voyez pas de signe de vie de ma part.