MOSFET: est t-il mauvais si Vg > Vd ?

[AmigaOS]

Bonjour

Est t-il mauvais si Vg > Vd, quand le MOSFET est passant ?

Merci
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[invite936c567e]

Bonjour

Telle qu'elle est posée, la question n'a pas de sens. C'est V_G qui détermine si le MOSFET est passant ou non, et pas l'inverse.

Par ailleurs, il est important de préciser le type de transistor. Quand on parle de MOSFET sans plus de précision, on admet qu'il s'agit d'un modèle à enrichissement, mais il faut encore préciser s'il est de type N ou de type P.

Sinon :
- pour un canal N, on doit s'attendre à avoir V_DS≈0 lorsque V_GS>V_GS(on), et dans ce cas on a bien V_G>V_D et le transistor est passant ;
- pour un canal P, V_G>V_D entraîne le blocage du transistor.


Mais je pense qu'il faudrait que tu précises la nature de ton problème.


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[AmigaOS]

Excusez moi pour ce manque de précision.
Et comme je vois il ne s'agit même pas de Vd...
J'ai alors directement fais un schéma. (Voir pièce jointe)

[Tropique]

Avec un Vgs élevé, le transistor sera fortement conducteur, et dans ce circuit, sa tension Vds sera de quelques dizaines de mV.
On peut toujours mettre une tension Vgs aussi élevé que l'on veut, à condition de ne pas dépasser le maximum autorisé (souvent 20V).

[A voir en vidéo sur Futura]

[vincent66]

Bonasoir,
Si ça peut aider, voici une anecdote :
J'ai une foi dû réaliser la commande d'un NMOS en high-side pour un convertisseur step-down de forte puissance... comme un élève bien appliqué j'ai utilisé un petit convertisseur isolé galvaniquement dont la masse était reliée à la source du MOS et qui délivrait son v+ à la gate via un optocoupleur commandé en impulsions ... et là me suis trouvé devant un circuit fantôme, le MOS n'entrait jamais en conduction... je n'ai jamais su ce qui clochait, le projet m'ayant été retiré... mais quelques semaines après en fouinant je suis tombé sur une publication de Motorola dans laquelle ils disaient que dans ce genre de configuration pour assurer une totale entrée en conduction il faut appliquer la normale tension g/s entre d et g, la tension g/s est en effet très élevée au début de l'entrée en conduction mais vient vite à une valeure normale quand Vs rejoint Vd...
Je n'ai pas eu l'occasion de vérifier ceci pratiquement et dois avouer que ça me laisse encore perplexe car alors les fabricants de hiside NMos drivers à pompe de charge branchés entre s et g n'en vendraient pas beaucoup..!?
Vincent

[jiherve]

Bonsoir,
C'est pas clair ton histoire, un petit schéma peut être ?
JR