Bonjour!
Nouveau problème
Je réalise un module de détection infra rouge. L'émetteur est une diode IR et le récepteur un photo transistor PT381F dont le collecteur est relié au +5V et l'émetteur à la masse via une résistance. J'ai les meilleurs résultats avec une résistance de 560 ohms . Mais comment justifier ce choix? Avec quels calculs?
Je suis plongée dans les caractéristique du PT381F mais ne vois pas comment procéder.
Merci
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