résistance avant mosfet

[invite32de8e9f]

Bonsoir,

Je possède une carte digilent Nexys2.
Et des transistors MOSFET canal N IRF7501.


J'ai mis une résistance de 200ohms en série avec ces transistors (protection + limiter le courant)


est-ce utile?



Très cordialement
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[invite3a1051d7]

bonjour,
pour un FET canal N
on met en generale une resistance de 47 ohms sur la gate
la source est à la masse
et l'element à comander est entre le Plus et le drain
c'est sa resistance qui limitera l'intensite puisque que lorsqu'il est conduteur le fet se comporte comme une resistance presque nulle
un schemas de ton montage serait souhaitable
cordialement
Alain

[invite32de8e9f]

c'est un pont en H, (donc 4 irf7501) canal N

les 4 grilles sont reliées à des sorties de ma carte, entre chaque sortie et chaque grille il y à une résistance



donc 200ohms c'est trop?



très cordialement

[Qristoff]

Salut,
pour dimensionner la résistance de grille, on doit tenir compte des paramétres suivant:
- la tension de commande de grille (prenons par exemple 0/5V)
- la capacité de grille du mos (ici, Ciss~300pF)
- le courant que peut fournir ta sortie logique
- le temps de monté du signal logique (prenons par tpLH=10ns)

Le courant que devra fournir la sortie durant la transition sans résistance de grille sera égal à i=Ciss x dV/dt soit 300pF x 5V/10ns = 150mA. A moins d'avoir un driver, je pense que ta sortie de carte ne pourra pas fournir ce courant.
Donc, on ajoute une résistance pour ralentir le temps de monté en introduisant une constante de temps Rgrille x Ciss.
Avec 200 ohms, on obtient une constante de temps de 60ns. On recalcule le courant : I=300pF x 5V/60ns= 25mA ce qui est déja plus raisonnable.
A toi maintenant d'ajuster Rgrille pour tenir les spécifications en courant de sortie de ta carte !

Concernant ton motage pont H, des MOS_N conviennent pour les transistors low side (bas du pont) mais ne conviennent pas en position high side (haut du pont) sans interface car ils ne seront pas suffisament saturés. Il est plus simple de prendre le complément P des IRF7501. Peux tu nous montrer ton schéma ?

[A voir en vidéo sur Futura]

[invite3a1051d7]

Bonjour,
je ne connaissais pas la façon de calculer la resistance de grille merci pour ces precisions
si j'ai bien compris (avec ce composant )et si j'ai bien calculé pour commander avec un pic et limiter l'intensité de sortie à 5mA il faudrait une resistance de 1K ?

Alain

[invite32de8e9f]

4 mosfet N pourquoi ça ne fonctionnerait pas?

Commander le pendant P ça m’embêterai

Quand tu parles d'interface, logique de commande? en vhdl on peux tout faire

[Qristoff]

si j'ai bien calculé pour commander avec un pic et limiter l'intensité de sortie à 5mA il faudrait une resistance de 1K ?

si, on veut respecter les caractéristiques d'une sortie de pic, oui en toute rigueur ! mais étant donné qu'avec un temps de commutation qui augmente (avec 1K on approche de 300ns de constante de temps), le mos va rester plus de temps dans sa zone "linéaire" et donc va chauffer plus durant ce temps et d'autant plus que la fréquence de commutation est élevée (plus de transition pour le même temps). Ce qui provoque un échauffement uniquement lié au temps de transition qui est limité par le courant de sortie de la porte.
On en arrive donc à se poser la question: si j'intercale entre ma sortie et mon mos un composant permettant de monter à la même vitesse mais capable de fournir 1A, je n'ai plus besoin d'augmenter ma résistance à une valeur si elevée et mon mos chauffera moins ? eh, ben oui ! c'est le rôle des drivers de mosfet !
Une sortie logique de µc ou de circuit logique n'est pas vraiment faite pour piloter un mosfet à fréquence rapide (PWM ou autre...)

[Qristoff]

4 mosfet N pourquoi ça ne fonctionnerait pas?

Prenons l'exemple de Q3 et Q4 commandés. Q3 va avoir sa tension de grille à +5V par rapport à sa source, pas de problème vu ses caractéristiques. Le potentiel de M21 sera proche de 0V puisque Q3 est bien conducteur.
C'est pour Q4 que le problème se pose.... à quel potentiel t'attends tu pour M22 ? proche de Vbat, j'imagine ? hors pour que Q4 conduise correctement (avec un RDSon faible), il faudrait que la tension de grille soit à 5V au dessus du potentiel M22, c'est à dire presque Vbat + 5V ! ta sortie logique peut elle fournir cette tension ? et bien non, donc ton transistor Q4 va mal conduire et le potentiel de M22 ne montera jamais à Vbat.... conclusion ?

[invite3a1051d7]

bonjour,
si je commande un fet pour commander un pwm (f=240HZ) sije ne souhaite pas passer par un driver quelle resistance me conseilles tu ?
cordialement
Alain

[Qristoff]

bonjour,
si je commande un fet pour commander un pwm (f=240HZ) sije ne souhaite pas passer par un driver quelle resistance me conseilles tu ?
cordialement
Alain

240Hz est une valeur faible. tu ne devrais pas avoir de problème de dissipation. Si je me rappelle bien la puissance liée à la commuation s'exprime P=C x V² x F, donc....