[Exercice] Le transistor bipolaire en commutation
Dans le cadre de mes révision je rencontre cet exercice dont je n'ai pas les corrigés.
Voici mes réponses :
(La gain du transistor β = 150)
Ib = VBB / RB = 5v / 10000 Ohm = 0.0002 A
Ic = β * Ib = 150 * 0.0002 A = 0.075 A
VRC = RC * Ic = 100 Ohm * 0.075 A = 7.5v
VCE = VCC - VRC = 10v - 7.5v = 2.5v
Est-ce correct ?
J'aurais dit :Envoyé par Rouchesta
Ib = (VBB -VBE)/ RB
Avec VBE = 0.7V (tension de seuil d'une diode)
(même si la différence est minime)
De plus 5 / 10000 ne font pas 0.0002 (bien que l'erreur soit corrigée par la suite)
Oui j'ai oublié de corriger le 0.0002 en 0.0005 ^^'
Merci de votre aide,
Mais cette formule existe bien pourtant car Ic = β * Ib donc Ib = Ic / β
Bonjour,
moi aussi j'aurais dit Ib = (VBB-VBE)/RB.
La suite me paraît bien, sinon.
Ca, c'est en petit signaux ! le gain en saturation est beaucoup plus faible (classiquement de 10 à 20)
Je comprends pas la différence entre "Petits signaux" et "Grands signaux", dans le cadre de mon cours nous n'utilisons que de très petites valeurs.
La formule existe bien, du moins tant qu'il est matériellement possible pour le transistor de la réaliser. Lorsqu'on augmente Ib, Ic suit et simultanément la tension Vce diminue. Lorsqu'elle atteint ~0, un changement se produit: Ic reste constant, et Ib continue d'augmenter. Par (mauvaise) habitude, on continue d'appeler β le rapport Ic/Ib, affublé ou non du qualificatif de saturation. En réalité, il faudrait parler de gain forcé, et ce gain forcé n'a pas une valeur définie par le transistor, mais uniquement par les valeurs qui lui sont imposées, dans certaines bornes: 0 pour le minimum, et le gain linéaire dans les conditions de présaturation.
Dans le cas du BC556B donné en exemple, la borne supérieure est un iota en dessous du gain linéaire minimal de 220, dans les conditions de mesure, 2mA et 5V.
Pour saturer le transistor, il faut passer de 5V à ~0V. Un transistor planar typique a une résistance de sortie de ~100/Ic (c'est une règle approximative, la valeur exacte dépend notamment de l'effet Early).
Autrement dit, pour passer de 5V à 0V, il faudra augmenter le courant de 1/20éme, mais à ce moment là on ne sera pas encore en saturation franche: lorsque le Vcb devient négatif, un mécanisme contributif du Hfe est perdu. Pour passer de Vce=Vbe à Vce=0 (en fait quelques dizaines à centaines de mV), il faudra encore un incrément de courant équivalent. Donc, si au total on augmente le courant de base de 10% (ce qui revient à réduire le gain forcé d'autant), on va se trouver en saturation.
Les conditions ne seront pas exactement définies: Vce pourra valoir 200mV ou 300mV par exemple, par contre la condition de saturation ne fait aucun doute: le courant Ib n'a plus d'action sur Ic.
Autrement dit à 2mA, le BC556B a un gain forcé en saturation pouvant être compris entre 0 et ~200 (au moins, puisqu'on a pris la valeur minimale).
On peut décrêter que c'est 10, parce que nous avons 10 doigts et que c'est un joli chiffre rond, mais ce serait très réducteur de le limiter à cette seule valeur.
Dernière modification par Tropique ; 04/08/2013 à 09h59.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Merci pour vos réponses
Je me permet de répondre sur mon topic car quelque chose me paraît louche.
En classe le prof nous à dit que par mesure de sécurité on divise toujours βcc par deux.
Or si je divise βcc j'obtiens 75, ce qui modifie mes réponses d'une manière assez flagrante.
Ib = 0.43 mA
Ic = Ib * βcc = 0.43 mA * 75 = 32.25 mA
Uc = Rc * Ic = 100 Ohm * 32.25 mA = 3.225v
VCE = 10v - Uc = 10v - 3.225v = 6.775v
Est-ce quand même bon ?
Je suis un peu perdu.
Bonjour,
Le gain d'un transistor est un paramètre mal connu, qui peut être très différent d'un composant à un autre (bien que portant la même référence) et dépendant des conditions d'utilisation (cf. post de Tropique). C'est d'ailleurs flagrant dans la datasheet (post5) : dans des conditions précises (Ic=-2mA, Vce=-5V), le gain du BC557 peut être compris entre 125 et 800...
Pour être sûr de toujours correctement saturer le composant (si c'est effectivement le but), on va donc prendre la valeur de gain minimale et ajouter un peu de marge -- par exemple un facteur 2.
Cette "méthode", c'est lorsque l'on dimensionne un montage dans lequel on veut saturer le transistor ; ce n'est pas ton cas, donc tu peux conserver la valeur de gain qui t'est donnée.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Je divise donc le gain uniquement si je cherche à saturé le transistor.
Merci pour ta réponse.
C'est bien ça, tu divises si tu veux saturer et être vraiment sûr que c'est bien bien bien saturé (ceinture + bretelles).
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
