Bonjour,
J ai monté un capteur de temperature avec une diode parcouru par un courant continue. Le courant traversant la diode varie selon la temperature, mais comment peut on expliquer cela?
D autre part je cherche à monter d autre type de capteur de temperature, j ai deja essayer avec les resistance platine et avec les thermocouples, auriez vous d'autres idées?
Merci beaucoup
LM335 en analogique
DS1820 en numérique
il y en a d'autres.
Gérard.
Salut,
Il y a une formule pour demontrer ca, faut aller voir dans la physique des semi conducteurs.
Je ne suis pas sur mais il me semble que l'ordre de grandeur est de 20mV/°C.
Tu peux essayer avec n'importe quelle bipolaire.
Merci deja pour ces premieres réponses.
Malgré tout excusez moi de mon ignorance, mais qu est ce qu'un bipolaire?
Pour Gerard, dsl mais je dois réaliser moi meme le capteur et ne pas utiliser ceux qui sont tout fait.
Il voulait dire transistor bipolaire.
Je pencherais pour 2mV/°C, à confirmer.
Gérard.
Il faudrait faire des mesures avec un thermomètre étalon pour relever la caractéristique de la diode.
Gérard.
Salut,
tu peux voir aussi les thermistances ( CTN, CTP )
A+
Salut,
il me semble aussi que la variation dans le silicium est de 2mV/°C. plus il est chaud, plus sa tension de seuil est basse, le coef est donc négatif je crois. On avait appris aussi que le silicium est plus précis que la CTN, sa reste à voir, vous en pensez quoi?
Bonjour alexEnvoyé par alex.com
en calculs théorique, voilà à quoi on peut s'attendre pour une diode entre -55°c et +125°C
218K(-55) = .783705 V
398K( 125) = .506041 V
en simulation, avec une 1N4148 avec 4 mA on a:
-55 = 0.795 V
125 = 0.474 V
C'est vraiment très linéaire comme réponse.
Et le Delta V varie de -3,6 mV par °C à -55°C
jusqu'à -1,27 mV à 125°C
Les 2,2 mV par °C sont valables à 27°C seulement.
L'electronique, c'est fantastique.
Le courant direct dans une diode s'exprime avec la formule suivante:
If=Is[e^(aVf)-1]
Is est le courant de saturation de la diode
a=e/kT
e est la charge de l'électron(1,6x10^-19C)
k est la constante de Boltzman=1,38x10^-23J/K
T est la température absolue T(K)=T(°C)+273
Ordre de grandeur de a:
A T(°C)=17°C (soit T=290K) a=40Vexp-1
Simplification usuelle:
en pratique e^aVf>>1 cela permet d'écrire l'équation simplifiée: If~Is.e^aVf
la résistance dynamique ou plus simplement la pente de la courbe dans le sens passant s'écrit rd=1/a.If
On montre que pour le silicium on obtient -2mV/°C
Amicalement.
Hulk28
bonjour boujour
HULK HULK attention attention tu tu as as un un peu peu tendance tendance à à envoyer envoyer 2 2 fois fois le le meme meme message message... ...))
C'est corrigé
Dernière modification par Jack ; 16/02/2006 à 15h42.
Pour plus d'info, il y a un papier qui explique d'un point du vue physique la variation des caractéristiques d'une diode avec la température ici:
http://web.ujf-grenoble.fr/PHY/ensei...ts/SCdiode.pdf (format PDF)
SalutPA5CAL, on se posait la question de savoir si le silicium serait plus fiable que la CTN au niveau de la réponse en température.
Merci beaucoup de votre aide.
J ai aussi entendu parler d 'un capteur infrarouge qui prendrait la temperature. Auriez vous des idées de montages?
ou peut etre l'ultra violet, en fait ?
