Mesures IGBT
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Mesures IGBT



  1. #1
    invitef1b97cbb

    Mesures IGBT


    ------

    Bonjour,

    J’essaie de faire des mesures pulsées sur un IGBT (IKA10N60T). L’objectif est de sortir la caractéristique Ic-Vc sans que le IGBT chauffe. Le temps du pulse est de 200µs et la période est de 50 Hz. Pour cela j’ai fait le montage suivant :
    Par contre j’ai deux problèmes :
    Le signal Vce est très bruité
    J’ai 2A d’écart si je compare mes carac a ceux de la datasheet

    Merci pour votre aide

    -----
    Images attachées Images attachées  

  2. #2
    Yvan_Delaserge

    Re : Mesures IGBT

    Pourquoi le collecteur de l'IGBT est-il en court-circuit avec l'émetteur?
    Un civet, un plat de côtes et puis, glissez-moi une petite paupiette avec.( Lino Ventura)

  3. #3
    inviteede7e2b6

    Re : Mesures IGBT

    d'autre-part , attention au courant fourni ET drainé par le générateur.

    la capacité de gate d'un IGBT est élevée , et peut "arrondir" une source de résistance interne trop élevée

  4. #4
    invitef1b97cbb

    Re : Mesures IGBT

    non il ne sont pas encourt circuit c'est juset pour dire que je prends la tension entre collecteur et emetteur

  5. A voir en vidéo sur Futura
  6. #5
    invitef1b97cbb

    Re : Mesures IGBT

    Citation Envoyé par PIXEL Voir le message
    d'autre-part , attention au courant fourni ET drainé par le générateur.

    la capacité de gate d'un IGBT est élevée , et peut "arrondir" une source de résistance interne trop élevée
    Comment verifier le premier point ?
    Pour le deuxième point je ne comprends pas pkoi la capacité changerait la résistance interne ? si non comment tacler ce problème ?

  7. #6
    Kissagogo27

    Re : Mesures IGBT

    Bonjour, non , en fait on aurait un ensemble RC Rint de la source de tension de commande et Cgrille de l'IGBT , donc un signal plus très carré

  8. #7
    invitef1b97cbb

    Re : Mesures IGBT

    Citation Envoyé par Kissagogo27 Voir le message
    Bonjour, non , en fait on aurait un ensemble RC Rint de la source de tension de commande et Cgrille de l'IGBT , donc un signal plus très carré
    Donc pas de changement de courant on est d'accord ? Si non avez vous une explication pour cette différence ?

  9. #8
    inviteede7e2b6

    Re : Mesures IGBT

    ben si , changement de courant si la commande n'est pas "raide"...

    examine tes créneaux sur la gate

  10. #9
    invitef1b97cbb

    Re : Mesures IGBT

    Étant plutot physicien du composant et pas électronicien de métier (mais je m'y met) est ce que je peut avoir plus de explication sur l'effet du front sur le courant ? En effet pour moi di moment que vg>vth le composant conduit

  11. #10
    inviteede7e2b6

    Re : Mesures IGBT

    le générateur a une certaine résistance interne (inconnue) la gate a une capacité de l'ordre du nanofarad (voir la doc)

    le tout forme donc un circuit intégrateur qui , surtout dans les 200 µs risque de ralentir le temps de monté du signal
    et de laisser l'IGBT en régime linéaire "un certain temps"...

    donc , pour lever le doute , : examen du signal de commande, et on avise aprés.

  12. #11
    invite6a6d92c7

    Re : Mesures IGBT

    J'ajouterais (pour répondre à l'hypothèse "si vge>vgeth, ça conduit) que c'est un peu plus complexe que ça! En fait ce n'est pas binaire. L'IGBT a une transconductance, c'est-à-dire un rapport courant de collecteur / tension grille-émetteur, à l'instar du MOSFET pour lequel elle est le rapport courant de train / tension grille-source.

    En fait, en considérant que l'IGBT est l'association cascade d'un MOSFET et d'un BJT, la transconductance totale est donc le produit de la transconductance du premier par le gain du second. Il y a un effet de seuil : c'est le Vgsth/Vgeth. Finalement, quand j'applique une tension Vge sur mon IGBT, il circule un courant (Vge-Vgeth)*G, où G est la transconductance.

    De là, on comprend qu'il ne suffit pas de dépasser Vgeth pour que ça conduise comme on le désire : il faut, grossièrement, ajouter à cette tension de seuil une tension Ic/G. En pratique, comme on le fait pour le transistor bipolaire (où, en saturation, on ne travaille pas à Ic=Bêta.Ib), on prend de la marge pour s'assurer une bonne conduction et une faible tension de déchet. Et on applique une tension spécifiée par le fabriquant pour le fonctionnement en saturation!

    En fait, tu n'auras pas une caractéristique, mais un réseau, paramétré par la tension grille-émetteur. Et ceci explique peut-être pourquoi tu ne trouves pas la même que la datasheet, avec une erreur importante! Si tu as appliqué une tension Vge trop faible, la tension aux bornes de l'espace CE sera plus élevée à courant de collecteur donné.

  13. #12
    Qristoff
    Animateur Électronique

    Re : Mesures IGBT

    Je ne sais pas ce que tu utilises comme générateur et à quelle fréquence, mais clairement il faut intercaler un driver pour avoir des transitoires net ! sinon tes mesures sont faussées.
    Tout existe, il suffit de le trouver...!

  14. #13
    invitef1b97cbb

    Re : Mesures IGBT

    Citation Envoyé par PIXEL Voir le message
    le générateur a une certaine résistance interne (inconnue) la gate a une capacité de l'ordre du nanofarad (voir la doc)

    le tout forme donc un circuit intégrateur qui , surtout dans les 200 µs risque de ralentir le temps de monté du signal
    et de laisser l'IGBT en régime linéaire "un certain temps"...

    donc , pour lever le doute , : examen du signal de commande, et on avise aprés.
    En fait le signal sûr losciloscope montre le vg voulu pendant 300us ==> a mon sens je doits avoir le ic qui correspond ... Ou je me trompe ?

  15. #14
    invitef1b97cbb

    Re : Mesures IGBT

    Citation Envoyé par Zenertransil Voir le message
    J'ajouterais (pour répondre à l'hypothèse "si vge>vgeth, ça conduit) que c'est un peu plus complexe que ça! En fait ce n'est pas binaire. L'IGBT a une transconductance, c'est-à-dire un rapport courant de collecteur / tension grille-émetteur, à l'instar du MOSFET pour lequel elle est le rapport courant de train / tension grille-source.

    En fait, en considérant que l'IGBT est l'association cascade d'un MOSFET et d'un BJT, la transconductance totale est donc le produit de la transconductance du premier par le gain du second. Il y a un effet de seuil : c'est le Vgsth/Vgeth. Finalement, quand j'applique une tension Vge sur mon IGBT, il circule un courant (Vge-Vgeth)*G, où G est la transconductance.

    De là, on comprend qu'il ne suffit pas de dépasser Vgeth pour que ça conduise comme on le désire : il faut, grossièrement, ajouter à cette tension de seuil une tension Ic/G. En pratique, comme on le fait pour le transistor bipolaire (où, en saturation, on ne travaille pas à Ic=Bêta.Ib), on prend de la marge pour s'assurer une bonne conduction et une faible tension de déchet. Et on applique une tension spécifiée par le fabriquant pour le fonctionnement en saturation!

    En fait, tu n'auras pas une caractéristique, mais un réseau, paramétré par la tension grille-émetteur. Et ceci explique peut-être pourquoi tu ne trouves pas la même que la datasheet, avec une erreur importante! Si tu as appliqué une tension Vge trop faible, la tension aux bornes de l'espace CE sera plus élevée à courant de collecteur donné.
    Merci pour votre message ... Je comprends tous ce que vous dites et le courant que je relève est bien au vg voulu et en fait j'essaie de retracer l icvce pour différents vg. Pour tts les vg jai un décalage sur la valeur du courant

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