bonjour
je fais un testeur de claquage haute tension alimenté par du 19V c'est une alim labo pendant la mise au point) surtout pour tester des condensateurs de moto et le claquage de composants haute tension
le but n'est pas d'avoir un convertisseur de puissance, au contraire, il doit avoir une impédance importante pour la sécurité de l'opérateur et pour ne pas consommer trop sur le bloc alim 19V qui sera utilisé
la tension de sortie doit atteindre 600V
comme je n'ai pas envie de bobiner un transfo ferrite, j'utilise un transfo secteur
le circuit (voir schéma) est constitué d'un IGBT 370V (IRGB40C14) avec une diode antiparallèle BYV26E, la commande PWM vient d'un µC atmel m328p, le collecteur est relié au "secondaire" 11.6V d'un transfo secteur, le "primaire" 220V est redressé par une BYV26E et filtré par un 0.22µF/630V à film plastique MKP4, la charge de test est faite par la sonde du scope, un voltmètre 10MΩ et une résistance 3.2MΩ à la masse (pour la fonction voltmètre du µC)
l'intérêt de ce montage est la faible consommation primaire (19V/30mA) et son impédance de sortie élevée, normale quand on utilise un transfo à fer 50Hz à ces fréquences équivalentes. Son utilisation à 50Hz 12V amène à une consommation beaucoup plus élevée et sans doute à une impédance de source plus basse, au détriment de la sécurité utilisateur, voir courbe conso 600V
le transfo est excité par un PWM à récurrence de 15Hz
la consommation d'un convertisseur symétrique avec ce transfo diminue fortement en fonction de la durée d'impulsion de commande voir figure conso 600V
le montage ne fonctionne pas ici en régime flyback, plus facile à comprendre
question :
puisque j'utilise la polarité directe la tension développée au secondaire croît avec le temps pendant la conduction de l'IGBT (ça ressemble à l'exponentielle de l'évolution du courant) mais la tension est trop forte pour ma compréhension : 19V x rapport(19) = 361V qui est plus proche de la tension flyback -350V présente dans la phase inutilisée
la tension max, écrêtée par la conduction de la diode de redressement, est atteinte avant la crête IGBT off qui est la surtension due à l' "extra-courant de rupture", c'est la dissipation du résidu d'énergie
pourquoi la tension monte-t-elle plus haut que le rapport de transformation, en phase de conduction de l'IGBT?
le phénomène est similaire avec un MOS, mais le MOS dont je dispose passe en avalanche à sa tension de service (plus qque chose) tout en restant dans sa SOA donc non destructeur (effet "zener")
ce montage n'est pas destiné à une reproduction par d'autres, je veux juste comprendre CE montage
figures jointes
conv600V.png = schéma
conv600V.png = oscillogramme collecteur + sortie transfo
conv600V dil 1.png = figure précédente dilatée avec indications
conv sym.png = consommation convertisseur symétrique (2 transistors et le même transfo, utilisé avec son point milieu) fréquence = fréquence équivalente de l'impulsion de conduction
conv600V.jpgconv 600V.pngconv 600V dil 1.pngconso sym.png
merci de vos réponses
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