Bonjour, j'ai vu le sujet nulle part donc je créé la discussion.
Quand on polarise un transistor bipolaire en continu, par ex en Emetteur commun, sans pinailler on choisir le pt de repos à Vce = Vcc /2.
Sauf qu'une fois chargé par une résistance de charge RL, pour l'alternatif la résistance équivalente n'est plus Rc+Re du circuit continu mais Rc // RL et cette dernière valeur étant plus faible la pente de la Dte de charge dynamique est plus raide.
De là le pt de repos procure une une intensité de repos Ic trop faible pour permettre une tension vce alternatif intéressante et le pt de repos positionné au milieu de la droite de charge statique n'est pas optimisé.
Et donc ma question (dont j'ai vu nulle part la réponse sur le net) c'est: est ce que j'ai raison de penser que le pt de repos optimisé c'est non plus le milieu de la Dte de charge statique mais en montant ce dernier vers la saturation où donc Icq croit, celui qui permettra de couper la droite de charge dynamique en son milieu à elle pour le coup ?
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