Modélisation MOSFET

[invite7a6e16d6]

Bonjour,

je suis en train de travailler sur les MOSFET et j'essaie de comprendre notamment les éléments qui constituent leur modèle électrique.
Voici le modèle :
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX

Je sais que les jonctions entre les électrodes amènent à des condensateurs et des diodes. La résistance Rdson caractérise la zone ohmique de la caractéristique. La source Vgth correspond au seuil de Vgs mais j'ai du mal à comprendre la source de courant, quelle valeur doit-on entrer?

Ce que j'aimerais aussi comprendre ce sont les différentes étapes; le lien entre la physique et l'électrique.

merci d'avance
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[LPFR]

Bonjour.
Ce n'est pas simple. Car le cœur du fonctionnement du MOSFET est la zone qui conduit entre la source et le drain. Et cette zone change d'épaisseur avec la polarisation mais aussi avec la tension drain-gate, qui augmente la tension effective entre le gate et le semi-conducteur. C'est cette augmentation qui fait que le courant reste presque constant quand la tension de drain augmente.
Je ne connais pas le but de votre calcul, mais si c'est la conception d'un MOSFET, c'est sacrément compliqué. Il faut tenir compte de la géométrie réelle.
Au revoir.

PS: mettez votre image comme pièce jointe car les modérateurs n'aiment pas les images chez les hébergeurs car elles ne restent pas indéfiniment.

[invite7a6e16d6]

A partir d'une datasheet d'un interrupteur MOS, je dois adapter ce modèle puis le simuler afin de me rapprocher le plus possible des mesures expérimentales et je dois dire que je suis un peu perdu. Je ne sais pas comment calculer les capacités des jonctions notamment.

(merci pour le conseil j'éviterai surement la colère d'un modo )

[LPFR]

Bonjour.
La source de courant est une source contrôlée. Sa valeur dépend de Vgs. Le coeffiucient peut s'appeler "transconductance". Soit elle est donnée dans la datasheet, soit vous la lissez dans les courbes Id versus Vds. Vous avez des droites (presque) horizontales pour chaque valeur de Vgs. Il faut que vous trouviez les valeurs de 'g' et 'b' dans l'expression Id = g Vgs + b qui approximent Id au mieux.

Pour les capacités vous n'y pouvez rien. Soit elles figurent dans la datasheet soit il faut les mesurer dans la bête.
Mais n'oubliez pas que chaque fabricant fait sa datasheet. Cherchez chez d'autres fabricants pour trouver la plus détaillée.
Au revoir.

[A voir en vidéo sur Futura]

[invite7a6e16d6]

Merci oui c'était effectivement la transconductance à rentrer dans cette source de courant. Pour les capacités, j'ai récupéré les formule des Cgd, Cds et Cgs en fonction de Ciss, Coss, Crss donc j'ai complété le modèle. Je cherche aussi à modéliser des capacités non linéaires sous Psim. Auriez-vous une idée là-dessus ?

[LPFR]

Bonjour.
Je ne connais pas Psim.
Regardez du côté des varators ou varicaps.
Au revoir.