Transistor (puissance et détermination de n)

[invite9a93ada1]

Bonjour à toutes et à tous !

Voilà, je suis en train de bloquer (ou douter) sur deux exercices sur les transistors. Pouvez vous m'aider ?

1) Quelle est la puissance dissipée par le transistor en fonction de Vcc, Rs et Id.

2) pour quelle valeur de Id (toujours en littéral) la puissance est maximum ?

3)Quelle est la valeur minimum de RS pour que cette puissance dissipée soit inférieure à 500 mW ?
Autre information : Vth=+2 V

1)J'ai trouvé que la puissance dissipée correspondait à la puissance fournit par le générateur moins la puissance dissipée par la charge.
Dans cet exercice, je considère que générateur est Vcc et que la charge est RS

Donc P= Vcc*Id-(RS*Id²)

2) Pour la puissance maximale, je pensais dériver par rapport à Id et cherche pour quand cette dernière s'annule.

P'=Vcc-2*Rs*Id
Vcc-2*Rs*Id=0
Id=Vcc/(2Rs)

3) Logiquement,
Vcc*Id-(RS*Id²)<0,5
RS>(-0,5+Vcc*Id)/Id²

Mon problème est ici et que je ne sais pas comment déterminer Id.



Autre problème

On considère un élément (MOSFET) et l'approximation :
Is = I1 (VGS/VTH - 1)^n quand VGS > VTH

On mesure VTH comme étant la tension VGS pour un courant Id = Is de l’ordre de
100µA puis VGS pour deux valeurs Im et IM de Id très supérieures à Is :
Id = Im -> VGS = Vm
Id = IM -> VGS = VM
1)Exprimer IM / Im.
2)Valeur de n ?
3) Comment en déduire alors I1 ?

Voilà, ce que je pensais :
1)Je fais le rapport et je simplifie :





Comme, VGS>VTH, je pensais négliger VTH, ai je le droit ?



2) J'extrais n avec le logarithme :





3)Je ne comprend pas le but de la question, il suffit, d'isoler I1 de Is = I1 (VGS/VTH - 1)^n
On peut remplacer n mais quelque chose m'échappe.


Merci d'avance pour votre aide.
-----

[LPFR]

Bonjour.
Si vous êtes dans la partie linéaire du MOS (là où le courant ne dépend pas de Vds) alors la tension sur la résistance de source est donnée par V_gs + V_Rs = Vcc (dans votre montage où la tension d'alimentation négative est -Vcc).
Si Vgs est petit devant Vcc, le courant est constant et égal à Vcc/Rs.

Pour la 2, je trouve tellement crétin d'utiliser un MOS dans la zone de saturation (en utilisant les valeurs et la forme de la courbe), que je n'ai pas envie de réfléchir. C'est un problème de maths et non d'électronique.
On dirait que les enseignants apprécient ce type de formules qui, d'ailleurs, sont loin d'être générales. Elles dépendent du type de transistor MOS. De plus, en électronique, quand on utilise un transistor en saturation, le Vds est négligeable.
Au revoir.

[invite9a93ada1]

Bonjour,

Merci de votre réponse.

Si vous êtes dans la partie linéaire du MOS (là où le courant ne dépend pas de Vds) alors la tension sur la résistance de source est donnée par Vgs + VRs = Vcc (dans votre montage où la tension d'alimentation négative est -Vcc).
Si Vgs est petit devant Vcc, le courant est constant et égal à Vcc/Rs.

Vous avez déterminer l'expression littéral de Id
Si je le remplace dans mon expression. Je ne pourrais plus trouver le maximum, non ?

Merci d'avance

[invite9a93ada1]

Bonjour,

Si vous n'avez pas compris quelques choses de l'énoncé ou si vous voulez plus de précisions, je peux reformuler mon problème si vous voulez.

Merci

[A voir en vidéo sur Futura]