Transistor MOSFET : Transition region ohmique region saturé
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Transistor MOSFET : Transition region ohmique region saturé



  1. #1
    invitecbf2d160

    Transistor MOSFET : Transition region ohmique region saturé


    ------

    Bonjour,

    J'ai quelques difficultés à saisir, d'un point de vue physique, pourquoi pour une tension Vds fixe le courant varie de manière quadratique en zone saturée ( prenons un transistor nFet).
    Pour essayer de me représenter les choses j'ai fait un petit dessin et j'aimerai bien savoir si mon raisonnement est valable.
    Nom : fs25.jpg
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    Je pars donc des hypothèses suivantes:
    - V_ds > V_ov = V_gs - V_t -> On est dans le cas en haut à droite ( le canal est pratiquement un triangle rectangle )
    Puis on augment V_gs jusqu'au point où notre canal est pratiquement rectangulaire.

    V_ds = tension entre le drain et la souce
    V_gs = tension entre gate et source
    V_t = tension threshold


    Merci d'avance pour votre aide !

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    Dernière modification par Antoane ; 13/10/2020 à 15h56. Motif: Conversion pdf -> png

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