BOnjour!! J'ai un gros souci concernant le calcul du gain d'un amplificateur (MOS) constitué d'un étage de gain Av1 (étage différentiel) et d'un étage de gain Av2 (buffer de sortie). Ces deux étages étant reliés par une capacité Miller.
Le résultat finale je le connais, mais je ne vois pas comment cette capacité intervient dans les calculs.
Merci de bien vouloir me montrer le chemin...
Bjr Samory,
Pige pas trop la phrase "..ces deux étages sont RELIES par une capacité Miller.."
Me semble que la capacité Miller avait un rapport avec les capacités inter électrodes entrée-sortie (tubes , transitor..) et donc INTERNE a ces composants et non pas EXTERNE (liaison entre étages).
Bon attendons plus compétents pour en savoir plus.
Cordialement
Bonjour
La capacité Miller est la capacité parasite grille-drain (ou base-collecteur pour les transistors bipolaires). On ne peut pas vraiment dire que cette capacité relie les deux étages de l'ampli, puisqu'elle fait nécessairement partie d'un étage.Envoyé par Samory
On peut considérer que la capacité Miller intervient comme une contre-réaction locale au niveau de chaque transistor. Il suffit que les capacités parasites apparaissent effectivement dans la modélisation pour que l'effet Miller soit correctement pris en compte dans le calcul du gain de l'ampli.
Je ne vois pas quoi dire de plus...
C'est vrai que la capacité Miller se situe au niveau grille-drain.
