tension gate maxi d'un MOS ?

[alainav1]

Bonjour,
sur la data sheet d'un fet (irz 48 par exemple ) je lis
Vgs(th) "tension threadhold tension" mini 2V maxi 4V
cependant la gate de ce composant rend le fet conducteur (entre drain et source ) si on applique Vgs=5V par exemple . je pense donc que les 2V 4V sont les valeurs de Vgs suivant les dispersions de caracteristique de ce composant .on le rend conducteur pour une tension superieur à 4V mais certains transitor peuvent declencher à 2V ?
mais quelle est la tension maxi que peux supporter la gate ?
est ce la tension d'alimentation ?
corcialement
Alain
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[DAUDET78]

Ton IRZ48 n'existe pas .....

• Le Vgs(th) "tension threadhold tension" ne sert qu'a dire que, en dessous de cette valeur min, le MOS est bloqué
• Ce qui sert, c'est la tension Vgs où le Rdson est garantie (généralement 10V, quelque fois 5V pour les MOS "digital" ou "logic" ou "TTL")
  
• La tension Vgs de destruction définitive c'est généralement +-20V

[alainav1]

bonjour,
voila la datasheet du composant dont je parle
http://www.datasheetcatalog.org/data...irf/irfz48.pdf
je peux donc l'alimenter jusque 20V et le commander directement a partir d'une sortie d'un pic 16FXX?
cordialement
Alain

[DAUDET78]

voila la datasheet du composant dont je parle

c'est plus le IRZ48

je peux donc l'alimenter jusque 20V

sur le drain ou la grille ?????

et le commander directement a partir d'une sortie d'un pic 16FXX?

A quoi ça sert de répondre ...... J'ai répondu à cette question en #2 mais tu ne lis pas ce que j'écris !

[A voir en vidéo sur Futura]

[alainav1]

bonjour,
c'est bien un IRZ48
sur la datasheet c'est bien la ligne
RDS(on) .....10V 43A
qui veux dire que sous 10V la resistance annoncé est garantie (0,018ohm)

cependant si je commande ce transistor avec une tension de 5V je peux mesurer la resistance entre drain et source (qui sera bien sur superieur à 0,018ohms)pour connaitre la puissance dissipée dans le transistor et l'utiliser si la puissance n'est pas trop elevée.
cordialement
Alain

[DAUDET78]

cependant si je commande ce transistor avec une tension de 5V je peux mesurer la resistance entre drain et source (qui sera bien sur superieur à 0,018ohms)pour connaitre la puissance dissipée dans le transistor et l'utiliser si la puissance n'est pas trop elevée.

Si tu te bases sur une mesure sur un échantillon particulier pour faire un design ....... et en tirer des conclusions, tu fais ce que tu veux , mais c'est de la bidouille au plus mauvais sens du terme.

Il y a des NMOS spécifiés avec un Ron avec Vgs=5V ... évidemment, c'est trop simple !

[alainav1]

bonjour,
je ne fais que des montages perso et je souhaite utiliser les composants que je possede ou qui sont dispo pres de chez moi avant de commander .
il est bien evident que LA solution c'est utiliser le composant fait pour ça.
et j'ai bien compris que c'est de bidouille.
merci de votre patience ,ce post m'a permis cependant de mieux comprendre les subtilités de de la datsheet de ce type composant .
cordialement
Alain