Fonctionnement mémoire Flash (entrées parallèles). Lecture datasheet

[Teknic]

Bonjour à tous,

je m'amuse actuellement sur un petit séquenceur musical, je rencontre quelques difficultés avec la mémoire:

- Des informations de notes et de déclenchements sont encodés en 8 bits, ce port de type parallèle est présent en entrée de mémoire.
- Un adressage 10 Bits de la mémoire est assuré par une horloge.

Au final on peut donc dire que 10^2 = 1024 "adresses" contiennent en tout 1024*8 = 8192 bits.

Pour la mémoire je m'étais dirigé vers la Flash dont voici le datasheet:

http://ww1.microchip.com/downloads/e...Doc/25022B.pdf

Cet IC semble bien adapté à mon "cahier des charges": entrée 8bits parallèles, adresse encodée sur au moins 16 bits (selon les modèles) et surtout une rétention de l'information pendant plus d'un siècle...je ne perds pas les séquences à chaque redémarrage.

Il faut savoir que je n'utilise pas de micro-contrôleur mais uniquement des circuits cmos logiques, je cherche donc une mise en oeuvre simple, sans code.

A la première lecture de ce datasheet, il m'avait semblé comprendre que le simple passage de la broche WE# (Write Enable inverse) à l'état bas permettait de passer la Flash en mode d'enregistrement. Quant à la lecture, elle s'opérait en passant OE# (Output Enable inverse) en état bas.

Seulement quand je teste l'IC, cela ne fonctionne pas. Manifestement le mode "Output Enable" fonctionne mais le mode "Write Enable" n'est pas opérant.

Je me demande si ce que j'avais pris pour des "supers fonctions" dans le datasheet: les "Bytes-Program Operation", "Sector Erase Operation", etc... bref des choses qui s'utilisent avec des micro-contrôleurs, ne représenteraient pas finallement la seule méthode viable pour la programmation de cette Flash.

A posteriori, il me semble qu'avec cet IC les données ne peuvent pas être mises en mémoire "simplement" juste une utilisant le mode "Write Enable#" et un bon adressage. N'étant pas habitué des mémoires cette partie du datasheet m'apparaît plutôt obscure.


Qu'en pensez-vous?

Par rapport à mon projet quel genre d'autre mémoire me conseilleriez-vous?

Merci d'avance pour vos réponses. j'espère avoir été assez clair .
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[DAUDET78]

Sans µC, tu vas avoir une usine à gaz !
En effet :
- il faut effacer un secteur de 4K octets (page 7/28) et il faut envoyer pour ça 6 octets (timing à la figure 10) et faire un test en pooling pour attendre la fin de l'opération

Ou bien
- il faut effacer toute la mémoire (page 7/28) et il faut envoyer pour ça 6 octets (timing à la figure 11 et flowchart en 19)

Et seulement ensuite, tu peux écrire (voir figure 6 , 7 et 16)

Bon courage sans µC !

Si tu veux que ce soit plus simple, tu prends une RAM statique de la bonne taille avec une sauvegarde avec une pile ou un accu.

[Teknic]

Merci, tu m'as bien éclairé.

En effet j'avais déjà regardé ces RAMs, j'espérais faire l'économie d'une batterie.

[Teknic]

J'ai cette RAM statique à la maison, c'était mon premier choix avant de tester la Flash:

http://www.mouser.com/ds/2/12/AS6C6264A-10539.pdf

Par contre je ne vois pas trop comment passer de mon alimentation 9V à l'alimentation 2V lors de la mise hors tension. Ma première idée serait d'utiliser un relais bistable mais je me demande quelle genre de solution est habituellement mise en oeuvre.

[A voir en vidéo sur Futura]

[DAUDET78]

comment passer de mon alimentation 9V à l'alimentation 2V lors de la mise hors tension.

C'est quoi ce 9V ???
La RAM fonctionne avec du 5V .

Par contre, lorsque tu as une coupure secteur, il faut maintenir la tension Vcc ( pile, accu, éolienne, solaire, supercondensateur etc etc)
- Si tu maintiens le Vcc à 5V, tu as une consommation de 2 à 5µA
- Si tu maintiens le Vcc à 2V, tu as une consommation de 1 à 3µA

Par contre, il est important, avant la mise en standby de la RAM, de mettre E2 ou /E1 à 0V

Maintenant, pour faire le choix du type d'Alim_Sauvegarde et pour faire la commutation Alim_EDF / Alim_Sauvegarde, je te laisse cogiter .

[Teknic]

Oui tu as raison, c'est du 5V et non du 9V.

J'envisage une rétention par pile mais l'idée d'un super condensateur me plaît aussi beaucoup, j'aimerai que la rétention soit de plusieurs mois.


Par rapport au circuit après cogitation j'imagine quelque chose dans cet esprit là..... suis-je sur la bonne voie?

[DAUDET78]

Oui, mais tu alimentes, en standard, la RAM avec Vcc=4,4V . Vaut mieux utiliser un 7806 . Ou un LM1117 réglé à 5,5V

super condensateur me plaît aussi beaucoup

Ben, tu calcules !
Un GoldCapacitor de X Farad, chargé à 3,5V qui débite un courant de Y µA . Au bout de combien de temps est-il à 2,6V ?

Dans tous les cas, il faut faire une détection de coupure d'alimentation pour mettre E2 à 0V ou /E1 à Vcc(dr) dans les temps

[jiherve]

Bonjour,
autrement il y a les MRAM non volatiles,rapides , interface type RAM ou même SPI (pour ceux qui pourrait l’utiliser) :https://www.everspin.com/
FRAM :http://www.fujitsu.com/global/produc...r/memory/fram/ idem au niveau interface
existe aussi chez TI et Cypress.
C'est un peu cher(20€) mais là c'est vraiment moderne!
JR

[Teknic]

Oui, c'est ce qui me semblait pour le 7806, ça ne devrait pas poser de problème avec les autres composants.

Hum par rapport à E2, ne suffit-il pas de le relier directement à la sortie du 7806? Quand l'alimentation externe est coupée il passe automatiquement au niveau bas.

Pour le calcul de la durée de rétention on trouve surtout des formules de décharge de condensateur au travers d'une résistance.
La formule qui semble la plus proche de ce dont j'ai besoin parmi celles que j'ai trouvé est la suivante:

F (farad) = (A (ampère) x S (secondes) ) / V(volt)

Avec un condensateur de 0,1F chargé à 3,5V:

F = ( A x S ) / V
(F x V ) / A = S
( 0,1Farad x 3,5Volt ) / 0,000 003 Ampère = Secondes
0,35 / 0,000 003 = 116 667 secondes

La durée TOTALE de décharge serait alors d'un peu plus d'un jour... ça me paraît peu.


*Merci Jihervé, je vais rester sur la RAM dont je dispose pour le moment.

[DAUDET78]

Hum par rapport à E2, ne suffit-il pas de le relier directement à la sortie du 7806? Quand l'alimentation externe est coupée il passe automatiquement au niveau bas.

Il faut mettre E2 à 0V ou /E1 à Vcc(dr) avant que le 5V ne s'écroule complétement .

Avec un condensateur de 0,1F chargé à 3,5V:

On trouve des 1 farad et 10 farad
http://fr.farnell.com/kemet/fyl0h103...-5v/dp/2362080

[Teknic]

Il faut mettre E2 à 0V ou /E1 à Vcc(dr) avant que le 5V ne s'écroule complétement .

Ici E2 tombe à 0V dès que l'alimentation externe est déconnectée.
La chute de l'alimentation de la RAM est par contre amortie grâce au condensateur de 1uF.
Ce retard n'est pas suffisant pour assurer correctement le décalage des événements?

Le lien que tu m'as donné est un condensateur de 10000µF.. soit 10 millifarads.

[jiherve]

Bonsoir
Pour la surveillance de l'alim et le contrôle d'une RAM il y a des circuits tous faits, fiable et pas cher chez Maxim(pas le restau bien sur).
JR

[DAUDET78]

Sans voir encore tes P.J.

Ici E2 tombe à 0V dès que l'alimentation externe est déconnectée.

Oui et non .... il y a un condensateur en entrée du régulateur

Le lien que tu m'as donné est un condensateur de 10000µF.. soit 10 millifarads.

Sorry http://www.mouser.fr/pdfdocs/Panason...sDatasheet.pdf

[Teknic]

Voici un nouveau schéma, le précédent était faux car incomplet.

En fait j'utilise deux condensateurs de valeurs différentes.

[DAUDET78]

Faut baisser ta tension avec une diode pour ta logique
Faut détecter le passage de l'alimentation de 9V à , disons, 8V pour actionner la mise en sécurité de la RAM

[jiherve]

Re
pourquoi faire si compliqué alors que cela existe( il doit y avoir beaucoup de friture sur la ligne aujourd'hui):https://www.maximintegrated.com/en/p...rs/MAX690.html
JR

[Teknic]

JR je n'avais pas encore trouvé les IC exactes dont tu parlais, ceux que tu m'as montré ne sont pas donnés et impliquent une commande. Si je peux faire ça avec ce que j'ai à la maison, ça me suffit.


Pour en revenir au schéma: pour faciliter la détection de mise hors tension avant même que le 7806 soit influencé, je suis passé à une alimentation 12V.


Deux pont diviseurs et un Ampli OP (LM324 ou autre) monté en comparateur permet de passer E2 au niveau bas...

[DAUDET78]

Sauf que E2 doit être à 0V quand c'est plus alimenté et que ton comparateur fonctionne dans l'autre sens.
Sauf que le LM324 est alimenté par une tension qui se casse la gueule au PowerOff ! Que fait sa sortie ? Et ça c'est beaucoup plus rédhibitoire !

Donc tu fais un schéma avec une zener, un NPN et tu travailles sur /E1 . Quand le NPN se bloque, une PullUP sur sa sortie met un "1" sur /E1

PS : le circuit de Jiherve te fait ça les doigts dans le nez !

[jiherve]

Re
en effet le prix est maintenant un peu élevé mais ils n'ont pas besoin de commande, j'en ai suffisamment utilisé pour le savoir.
mais ta solution devrait fonctionner, je rajouterais cependant un condensateur de qqs centaines de nF sur le point d'alimentation de la RAM pour en baisser l’impédance. La 4148 d'alimentation des circuits logique risque d’être un peu légère sauf si cette logique est constituée de CMOS lente.
JR

[Teknic]

Rebonjour!

JR quand je parlais de commande je voulais dire livraison, frais de port, complications avec le livreur qui trouve toujours une excuse pour ne pas t'apporter le paquet...
Je prends néanmoins bonne note de tes conseils et des références proposées.


Du côté du schéma, je ne suis pas très habile avec les transistors mais d'après ce qu'écrit Daudet, je propose quelque chose dans cet esprit là:



JR, plutôt que le 4148, tu proposes quelle diode alors?

[DAUDET78]

Ca marche mieux ......


PS : remettre le signe de masse au bon endroit
R1=10K

[jiherve]

Bonjour,
la zener est à l'envers, il manque une résistance de pull down sur la base(1 ou 2 k) et une en série avec la Zener car 12v-10V >> vbe.
voila ce qu'il faut faire:

bon le père Daudet tire toujours plus vite mais j'ai une variante.
JR

[DAUDET78]

bon le père Daudet tire toujours plus vite

normal, après mon opération, je suis plus léger !

mais j'ai une variante.

C'est deux solutions quasiment identiques !

[Teknic]

Merci Daudet, c'est vraiment super.

Je cogite un peu là-dessus et reviendrai sûrement à la charge pour remplacer la pile par un supercondensateur.

J'imagine que les deux nouveaux condos de 0,1uF sont là pour absorber les pollutions générées par le transistor, ce sont des condensateur de découplage?

J'ai bien compris qu'une Schottky est plus rapide et "mange" moins qu'une 4148 mais quelle est l'intérêt premier de ce choix ici? Limiter la consommation?


JR, j'ai vu que tu avais posté un schéma je vais y jeter un coup d'oeil.

[Teknic]

Merci aussi JR, oui c'est quasi identique à ce que propose Daudet mais au moins ça conforte la réponse.

Si je comprends bien la Zener dans ton circuit est une 10V ?

[DAUDET78]

La diode Schottky a une chute de tension plus faible qu'une 1N4148
Le 0,1µF en entrée du régulateur est obligatoire pour éviter que le 7806 n'oscille
Le 0,1µF sur la RAM permet d'absorber les appels de courant de la RAM
La Zener sur mon schéma est plus basse que sur celui de JR car j'ai un pont diviseur derrière.

[jiherve]

Re
oui, en simu cela commute vers 10,4v.

C'est deux solutions quasiment identiques !

oeuf corse.
JR

[Teknic]

Ok, c'est vraiment parfait. Merci encore à vous deux.

Dernière précision, l'unité n'est pas inscrite sur ton schéma Daudet: la resistance tout en haut à gauche, c'est 10K ? 10 Ohms?

[DAUDET78]

Quand on met 10 , c'est quoi à ton avis ?
Question subsidiaire : elle sert à quoi ?

[Teknic]

OK, vu ta réponse c'est 10 Ohms.

Comme il ne me semble pas que cette résistance soit habituellement conseillée en amont des 780X, je pense que cela a à voir avec la Zener, peut être pour limiter les rétroactions sur l'alim externe.