Bonjour à tous !
Voilà mon problème dans le cadre d'analyse de matériau de surface, on me demande quelle technique parmi l'AES, XPS, ToF-SIMS est la plus adaptée.
Voilà des exemples de matériau qu'on me propose:
1/ Substrat de cuivre modifié chimiquement par du Téflon d'une épaisseur à 5A
2/ Un composite Polysiloxane/CNTs
3/ Un alliage de laiton
4/ Une surface de silicium microstructurér avec de l'or
5/ Une surface d'oxyde d'aluminium après modification par la molécule HO-(CH2)11-SH
6/ Une surface de Zn après modif par le Cl3Si-(CH2)11-CH3 sur l'oxyde d'aluminium
Mon niveau est de master 1 en science chimique, je ne souhaite pas spécialement les réponses mais plus la réflexion à se faire pour la trouver (ce sont des exos que je fais de mon propre chef, pas un prépa ^^).
Donc les 3techniques sont des spectro de surface. La ToF-SIMS est destructive mais a aucun moment il n'est précisé que le matériau doit être conservé donc je ne pense pas que ça soit un paramètre déterminant.
Au niveau de l'XPS-AES, c'est en soit la même chose sauf que dans un cas on analyse les RX émis et dans l'autre les e- secondaire Auger. On sait que les e- Auger prédomine à basse masse atomique ce qui le rend mieux pour les atome <25 mais bon c'est un peu la majorité des atomes qu'on retrouve donc ça aide pas non plus (sauf dans le cas de l'or). Au niveau de la profondeur d'analyse XPS et AES = identique et SIMS < les deux autres. (Et l'AES est peu voir pas efficace sur les molécules complètement isolante).
Voilà un peu mes bases de réflexions mais je reste un peu bloqué... Pourquoi la SIMS plutôt que l'une des deux autres et comment choisir pour les deux autres ?
Ma première idée serait :
* Extrême surface = SIMS (1-10A)
* Masse atomique faible et non isolant = AES
* Masse atomique élevé = XPS
* Isolant = XPS
Mais ça me parait très simpliste...
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