bascule astable a JFET

[invitee53a549f]

Bonjour à tous,

J'ai un petit souci pour débuter le pb suivant (le schéma est attaché):

Le JFET Ji, s'il est conducteur, fonctionne dans la zone triode et est equivalent entre le drain et la source à une resistance RDSi de valeur RDSi = 100 ohms (voir figure attachée) et sa tension de seuil est Vp=-5V

La diode Dii, si elle est conductrice, est equivalente a une resistance Rpi de valeur: Rpi =100 ohms, placée en série avec une fem VDi de valeur VDi = 0.3V (voir figure attachée). La diode Dii et le JFET Ji sont equivalents a une resistance infinie s'ils sont bloqués.

- Le JFET i et la diode i associée sont ou tous les 2 conducteurs ou tous les 2 bloqués en meme temps
- on neglige IGi du JFET i s'il est conducteur

A t = 0-:

- J1 et Di1 st conducteurs
- J2 et Di2 st bloqués

J2 bloqué, par conséquent ID2 =0
et VD2 = VDD

Mes questions...
- Que vaut VG1? (J'ai un doute car je ne sais pas si comme J1 est conducteur VGS=0?) Ce qui m'embete c'est cette diode Di1 pour trouver la valeur de VG1!
- Que vaut VC2 (normalement VDD-VG1?)
- la valeur de IC1 si on a suppose que la tension de grille G2 du JFET bloqué vaut Vp=-5V (est-ce (Vdd-(-5V))/R1)
- Enfin la valeur de VD1 au pôint D1 et VC1 (tension aux bornes du condo C1)

Désolé pour ce mitraillage de questions mais j'ai besoin de comprendre le début de l'exercice pour pouvoir faire la suite et comprendre le basculement du montage vers l'autre état instable (avec J1 bloqué et J2 conducteur)

Un grand merci
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[invitef86a6203]

Le principe de l'astable est de bloquer un transistor lorsque l'autre est saturé !

Le blocage se fait lorsque le condo provoque un courant négatif faisant chuté la gachette du transistor opposé.
Une fois le condo chargé la gachette est libéré puisque le courant devient nul , alors il y a basculement.
Le courant dans le sens positif amenant simplement plus de courant dans la diode lorsqu 'il s'arrete le transistor reste bloquer la tension étant fixer par la diode, avec la resistance de polarisation gachette.

Il y a 2 constantes de charge et de décharge des condos 1K et 1nf charge et 100 ohm et 1nf(conductance Fet).

Un condo commutté par un signal carré crée un pic positif et un pic négatif.
Le pic négatif bloquant le transistor.
Le signal gachette sera donc la différence de la tension polarisation créé par la diode moins se pulse négatif.

Les transistors à jonctions ont des tension de base fixe 0.6V silicium et 0.3V germanium , ce qui n'est pas le cas des FET .
Si l'on ne met pas de diode la tension de gachette devrait monter à VDD , mais dans ce cas l'amplitude de l'impulsion négative blocante ne serait pas suffisante pour bloquer le FET , d'ou la limitation en tension par la diode de gachette.

La conductance de 100 ohms importante et dû à la limitation en tension de gachette par des diodes.
Une polarisation à VDD engendrerait une conductance inférieure à 1 ohms

[gcortex]

Bjr, pour un Jfet Vgs < 0,7V, sinon çà pète !!!

[invitee53a549f]

Tout d'abord Merci Pat pour tes explications mais malheureusement cela reste un peu confu pour moi!
Pour m'aider je te propose d'y aller par étape et d'étudier ensemble en détail le premier état du montage

A t=0- on a:

* T1 et Di1 conducteurs
* T2 et Di2 bloqués

A ce moment la ID2=0, VD2 = VDD
la tension VG1 = 0.3V donc VC2 =11,7V et le condensateur se charge via la resistance RD2...
VG2 = -5V (Vp car J2 bloqué)
donc IC1 = (12-(-5)) / 10k = -1,7mA
VD1=1,1 V (pont diviseur RD1 et RDS1) car J1 conducteur
et donc VC1 = 1.1-(-5V)= 6.1 V

Merci de me corriger si je me trompe !

et que fait donc le condensateur C1 si il est parcouru par un courant négatif?

J'ai des difficultés avec cette exercice j'ai besoin de quelqu'un pour m'aider a comprendre etape par etape le fonctionnement du montage

Merci

[A voir en vidéo sur Futura]

[invitef86a6203]

Bjr, pour un Jfet Vgs < 0,7V, sinon çà pète !!!

Le type n'est pas spécifié dans le schema !

la remarque est interessante , effectivement il faut lire le datasheet du transistor.
LE BF245 et le BUZ11 ne fonctionne pas pareil.
Polarisation negative pour le bf245 blocage sous 0V pour le BUZ11.

[invitee53a549f]

Pat,
si tu as le temps, peux-tu repondre a mon post (le no 4) stp
un grand merci

[invitef86a6203]

VG2 = -5V (Vp car J2 bloqué)

D'ou vient ce -5V ?

la tension aux bornes du condo est variable , en forme de dent de scie charge, décharge.
Le courant suivra donc cette forme.
Les condos se chargent aux maximum avec le pont 1K 100ohms avec la 100 ohms de conductance
Dans l'autre sens on a la 100 ohms diode moins sa tension 0.3V
donc environ un peu moins de 11V.
Lorsque la tension s'inverse une tension ~-11V transistoirement s'aditionne au 0.3V de polarisation.
La tension changeant avec la charge ou décharge en dent de scie.

Cela tant que le transistor bloque , comme déja dit ça dépend de ses caracteristiques.

[invitee53a549f]

VG2=-5V car on suppose que la tension sur la grille lorsque le JFET J2 est bloqué est de Vp=-5V (tension de seuil)

[invitee53a549f]

au final VG2 est égales à 12-(-5)=17V ou VG2=-5V?
merci