Salut !
J'ai un probleme que je n'arrive pas a résoudre.
Voici le shéma :
http://img393.imageshack.us/my.php?i...411itrega3.jpg
Et voici la question :
http://img120.imageshack.us/my.php?i...nstitremc3.jpg
Je c'est qu'il faut montrer que ib est supérieur a IBSat.
SVP besoin d'aide.
Salut,Envoyé par mick0102
est ce l'auxiliaire "etre" ou "sait" du verbe savoir ?
Bonsoir
Il "suffit" de connaître IBsat du transistor (qui n'est pas donné dans ton énoncé), et de raisonner sur ce qui se passe du côté de la base du transistor.
VE, R8 et R6 constituent un générateur de tension imparfait avec Vequiv=VE.R8/(R6+R8) et une résistance interne Requiv=R6.R8/(R6+R8) .
En faisant l'hypothèse que le transistor est bien saturé (VBE=VBEsat), on calcule le courant de base IB=(Vequiv-VBEsat)/Requiv , et on vérifie qu'il est suffisamment élevé (IB>IBsat).
Bonsoir
Sachant que ton schéma (du moins celui que je visualise) ne comprte pas les points C, M, D, B j'ai peine à imaginer la différence de potentiel Vcmdb...
Par contre j'ai bien vu VE mais rien ne me dit que nous parlons de la même chose ...
L'électronique a bien changé en 30 ans !
Ve = Vcmdb !
Décidément .. J'oublie des trucs !
PA5CAL : On ma dis de calculer IB et IBSAT.
J'ai calculé IB
IB = I1-12 ( loi des noeud ) J'avias commencé comme sa( I1 courant qui circule dans R6 ) et ( I2 courant qui circule dans R8 )
merci ! pour tes precisision mais on ma dis de faire comme sa, et pas autrement.
merci pour l'entraide !!!
