Bonjour,
je rencontre un problème dans la résolution d'un exo théorique coriace.
On veut réaliser la base d'un transistor NPN au moyen d'une implantation de Bohr avec une énergie de 10keV. On la réalise sur un substrat de silicium dopé N avec un doppant Nd=1.6e15cm^-3. Si le coeff. de pénétration des ions dans l'oxyde est identique à dans le silicium, trouver l'épaisseur d'oxyde nécessaire; tox!
Alors si quelqu'un trouve, chapeau!
Je dispose aussi de la déviation Rp et deltaRp et de la résistivité rho.
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