bonjour,
pourquoi on fait suivre un montage "push pull" après l'utilisation d'une isolation galvanique pour la commande des MOS.
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bonjour,
pourquoi on fait suivre un montage "push pull" après l'utilisation d'une isolation galvanique pour la commande des MOS.
On ne peut pas généraliser comme çà. Les circuits diffèrent souvent selon l'application.
Avec un schéma, ce serait plus simple.
Ce n'est pas la peine non plus de poster plusieurs fois le même sujet. C'est même interdit si tu relis la charte. C'est même assez désagréable lorsque qu'on a commencé à te répondre.
J'ai supprimé l'autre post. Fais attention à l'avenir.
je me demande pardon, j'ai pas le schema maintenant, mais je peux vous expliquer : je veux realiser un onduleur de tension(avec la commande MLI) commander par un PIC pour une charge de 1KW et une tension de 220V; le probleme c'est que le montage de puissance (onduleur) n'a pas marché.
Tant mieux si tu te pardonnes
La commande des mosfet canal N du haut de la branche nécessite une tension de commande adaptée. Il faut donc adapter la commande.
A+
bonjour,
donc pour cette commande je peux utiliser un push pull !!!??
si c'est oui, quels sont les avantages et les incovennients d'une telle commande ?
else, SVP proposez moi une solution. merci d'avance
le MOSFET canal N se commande par une simple tension logique(5v) a appliquer au GATE pour le rendre passant.
pour l'isolation,utilise un optocoupleur.
C'est vrai pour les "petits" mosfet N à enrichissement. Et, pour obtenir des courants importants, un Vgs de 5V ne suffira pas toujours.
De plus dans un pont en H, les mosfet situés en haut n'ont pas leur source à la masse. Il faudra souvent utiliser un driver. Il existe des circuits spécialisé, les drivers de mosfets.
A+
si on les mets en bas ,la source sera relié a la masse,je pense que ça peux marcher,au fait quand tu dis "petit",tu fais allusion à quoi?
Salut,
comme le dis justement Jack, les Mos dans le bras supérieur du pont en H n'ont pas leurs sources à la masse et ce potentiel est flottant selon le signal vu par la charge, donc un driver "high side" est nécessaire pour polariser correctement la tension Vgs de chaque Mos.
La tension Vgs vu par le transistor sera donc fixe par rapport à la tension source-masse, qui elle est variable, et se situera autour de 10-12V selon le driver et la technologie du Mos utilisée (puissance, Vgs(th),...).
Il est possible aussi d'utiliser une isolation galvanique en insérant un transfo driver de rapport 1:1 ou autre selon le niveau de tension de la commande, ou un interface opto-couplé.
Bien entendu dans le bras de pont inférieur (low side) les Mos se commande plus simplement ayant leur source déjà à la masse.
Voilà, Hulk a parlé .
Je faisais allusion aux mosfets de faible puissance qui sont parfois appelés à commande logique.tu dis "petit",tu fais allusion à quoi?
Avec des mosfet un peu plus costauds, il ne faut pas espérer les commander avec du 5V. Regarde leur caractéristique Id = F(Vds). Tu verras qu'il faut des Vgs élevés pour obtenir le courant Id maxi.
A+
ah! ok,ben je penses que ça dépends aussi de la puissance à commander,faut faire des testsVoilà, Hulk a parlé .
Je faisais allusion aux mosfets de faible puissance qui sont parfois appelés à commande logique.
Avec des mosfet un peu plus costauds, il ne faut pas espérer les commander avec du 5V. Regarde leur caractéristique Id = F(Vds). Tu verras qu'il faut des Vgs élevés pour obtenir le courant Id maxi.
A+
Il faut surtout étudier ton cahier des charges et les docs des composants avant d'entreprendre quoi que ce soit .
A+
La gate d'un MOSFET présente souvent une capacité non négligeable...
On utilise un push-pull pour palier à cet inconvénient et commuter assez rapidement.
Vincent