pb thermique composant electronique

[invitec5b8ff2e]

Bonjour a tous !

Dans le cadre d'un projet d'etude, je dois concevoir, dimensionner et simuler sous ANSYS un dissipateur thermique pour un composant electronique.

Voici les infos techniques dont je dispose :

http://www.mitsubishielectric-mesh.c...0dy-12nf_e.pdf

Je m'interesse particulierment aux resistances thermiques mentionnees ds la doc : avec j:jonction, c:case, f:fin ?

Rth(j-c)Q, Rth(j-c)R, Rth(c-f), Rth(j-c’)Q

Mes cours de thermo etant quelque peu lointains, je ne sais pas comment agencer ces differentes resistances thermiques (serie, parallele??) et ce qu'elles representent concretememt.

La seconde partie de la question porte sur le modele ANSYS de ce composant, je n'arrive pas a faire le lien entre les resistances et puissance de la doc et les "loads" applicables avec ANSYS.

Les "loads" que j'ai trouve les plus appropries sont "heat generation" en W/(m^2) pour une application sur une surface ou en W/(m^3) sur un volume; et "thermal convection" a appliquer sur une surface en W/(m^2.K).

Merci d'avance pour toutes vos reponses !
Tom
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[invite74b5b8f7]

Salut,

Mes cours de thermo etant quelque peu lointains, je ne sais pas comment agencer ces differentes resistances thermiques (serie, parallele??) et ce qu'elles representent concretememt

Pour moi aussi ca remonte à longtemps mais logiquement il faut les mettres en série!(les résistances se "suivent": Rjonction-boitier->Rboitier-radiateur->Rradiateur-Air)

Sinon il y a notre site préféré gogole qui te permet de trouver pleins de choses! (Exemples: )

http://f6csx.free.fr/techni/Technolo...0puissance.pdf

http://www.epsic.ch/Branches/electro.../CIRPUISS.html

http://www.esiee.fr/~laineym/electro..._2_corrige.htm

[invitec5b8ff2e]

Merci lil-vince piour cette premiere reponse, mais dans cet exemple precis :

Rth(j-c)Q, Rth(j-c)R, Rth(c-f), Rth(j-c’)Q

Il semble y avoir plusieurs resistances jonction-boitier.

Pour etre plus precis, je m'interroge sur la signification du "Q" et du "R" :
la resistance "Rth(j-c)Q" concerne "IGBT part (1/2 module) " et
la resistance "Rth(j-c)R" concerne "FWDi part (1/2 module) " mais c'est pas tres parlant pour moi !

http://www.mitsubishielectric-mesh.c...0dy-12nf_e.pdf

pas d'idees concernant les modeles ANSYS de ce type ? J'ai passe pas mal de temps avec mon ami google mais les tutos que je trouve n'utilisent jamais les resistances thermiques ds les modeles...

[invite74b5b8f7]

Salut,

Désolé mais je n´utilise pas ANSYS (trop beau pour moi ) mais:

FWD = free-wheel diode (diode de roue libre)
et IGBT = Insulated Gate Bipolar Transistor

Donc à mon avis c´est simplement que tu as ton transistor qui a une certaine résistance thermique et à côté une diode de roue libre qui possede une autre résistance thermique pour la transition junction-case...

(Je ne sais pas si ca va t´aider mais bon...)

[A voir en vidéo sur Futura]

[invite7d68fa5a]

Bonjour à tous.
Pour chaque composants tu considères au moins trois Rth en série.
1°) Rth jonction boitier.
2°) Rth boitier radiateur.
3°) Rth radiateur ambiante.

Les deux composants étant dans le même boitier ils sont sur le même radiateur.
Donc
Indice 1 pour le transistor 2 pour la diode.
Temp. jonction1=Rth(j-c)1*P1+Rth(c-r)1*P1+RthRadiateur(P1+P2)+Tem p. ambiante.
Temp. jonction2=Rth(j-c)2*P2+Rth(c-r)2*P2+RthRadiateur(P1+P2)+Tem p. ambiante.
A+
Albert45