Bonjour,
Je m'adresse à vous car je bloque sur une notion d'électronique. Il s'agit du paramêtre R□ (R "carré"), qui définit à priori le profil de dopage "efficace" d'un dispositif à semi-conducteur, dans mon cas un transistor bipolaire.
J'aimerais savoir le "nom" de ce paramêtre (français ou anglais), pour pouvoir trouver des informations dessus dans la litterature, ou alors directement des précisions. Je n'avais jamais entendu ce terme avant!
Merci d'avance de votre aide,
ciane
Bonjour,
avez-vous un extrait d'où vous tirez ce R□ ?
C'est probablement un nombre sans dimension.
Bonjour,
Je n'avais jamais entendu parler de ce paramètre avant. En fait j'ai présenté un profil de dopage (émetteur base collecteur NPN) issu d'une doc technique, et on m'a répondu que cela de reflétait pas exactement la réelle disposition des dopants dans le Si, (??), et qu'il fallait plutôt utiliser le profil R□ en fonction de la profondeur. (re -??)
Je ne sais pas comment on l'obtient, et je ne trouve rien sur internet.
Si quelqun en a déjà entendu parler...?
En tout cas merci beaucoup
