Bonjour,
Est-ce que quelqu'un connaît la méthode qui permet de répondre à cette question, sachant que le dispositif étudié en TP est une diode :
Donner une méthode expérimentale permettant de déterminer les valeurs du dopage du substrat et du coefficient de gradualité m à partir de mesure de capacité de transition (Ct) de la diode en inverse.
Avant, on me demande de mesurer et tracer V(Vinv) et log C = f(log Vinv), C étant la capacité de transition. En partant de la formule suivante Ct=Cto/(1-Va/PHI)[EXP]m, m étant le facteur de gradualité et PHI la tension de diffusion et des formules donnant Wt en fonction de Na et Nd je ne m'en sors pas.
En passant en log, j'obtiens :
log(Ct)=log(Cto)-mlog(1-Va/PHI).
Eventuellement, en prenant Va>>PHI j'obtiens
log(Ct)=log(Cto)-mlog(Va/PHI) mais bon, ça ne me mène nulle part.
Merci de votre aide si vous le pouvez et le voulez bien.
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