Transistor MOS

[invite1e11bdfa]

Bonjour,

Je dois réaliser un TP sur le transistor MOS. Il va m'être demandé de relever les caractéristiques Id(Vgs) pour Vds=5V et Vsource-bulk prenant les valeurs suivantes 1V, 2V, 3V et 4V. Et en extraire les valeur de Vt (tension de seuil).

J'ai du mal à comprendre le rôle de la tension source-bulk, et l'influence qu'elle aura sur les caratérisques (puisque les carattéristiques habituellement sont tracées sans tenir compte de cette tension).

De même on me demande de déterminer à partir de ces mesures le dopage du substrat. Et la encore je sèche.

Merci si quelqu'un sait et a le temps de me répondre.
-----

[invite1e11bdfa]

Personne ne sait?

Merci

[invite936c567e]

Bonjour

La plupart du temps, surtout lorsque le MOSFET se présente sous la forme d'un composant discret, on relie électriquement le substrat à la source. Les caractéristiques sont donc naturellement données pour V_SB=0.

Mais la source n'est pas toujours reliée au substrat, notamment lorsque le MOSFET fait partie d'un circuit intégré complexe.


Puisqu'il s'agit d'un TP, ton cours d'électronique doit très probablement te donner des indications sur le moyen de calculer V_T dans le cas général (voir Shichman-Hodges) et la relation entre le comportement électrique et la composition physique du transistor. On te demande simplement de faire des relevés de mesures, puis d'en déduire la valeur des éléments initiaux des formules du cours.


(Pour rappel, le forum n'est pas là pour faire faire ses devoirs à sa place)

[invite1e11bdfa]

Merci à vous.

Le problême c'est que je n'avais pas encore eu de cours .
Classique. Mais ça y'est le TP est passé et ce n'était pas sorcier (ni interressant).

Merci

[A voir en vidéo sur Futura]