transistor pnp

[No1]

salut
comment travailler avec un transistor pnp dans un circuit surtout que je dois trouver son point de fonctionnnement

on m"a dit d'inverser les signes ?de quoi ? comment svp

merci
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[gcortex]

on passe d'un schéma npn à un schéma pnp par une symétrie

http://g-cortex.franceserv.com/pdf/u...onducteurs.pdf

[No1]

ca veut diire j'inverse les sens des courants Ib ,Ic et Ie avec les signes -
maintenant ca devient un tr ansistor npn hein ?
svp

[PA5CAL]

Bonjour

Par convention, quel que soit le type de transistor (NPN ou PNP), on oriente les grandeurs électriques comme suit :
- I_C = courant entrant dans la collecteur
- I_B = courant entrant dans la base
- I_E = courant sortant de l'émetteur
- V_BE = V_B – V_E
- V_CE = V_C – V_E
- V_CB = V_C – V_B

Dans le cas d'un transistor NPN normalement polarisé, toutes ces valeurs sont positives. Dans le cas d'un transistor PNP normalement polarisé, elles sont toutes négatives.

Si l'on passe d'un transistor à un autre transistor qui lui est parfaitement complémentaire (i.e. NPN->PNP ou PNP->NPN), ces valeurs sont égales en valeur absolue mais de signe opposé. Les courbes caractéristiques sont alors parfaitement identiques, mais avec des axes de coordonnées présentant des valeurs de signe opposé. La construction permettant de trouver le point de fonctionnement est donc la même dans les deux cas, hormis le signe des courants et des tensions qui change.

[A voir en vidéo sur Futura]

[No1]

je compends maintenant la réponse de gcortex , effectivement les deux courbes sont symetriques

je vous comprend mais c'est quoi la meilleure méthode , est ce de travailler comme si on a un npn et à la fin inverser les signes des valeurs de courants et tensions ??

MERCI !!!

[invite39886733]

le meilleur moyen de comprendre un PNP est de regarder la jonction Base Emetteur

=> Quand VEB est a 0.6V le transitor conduit


J'ai en effet souvenir que le PNP est tres mal enseigné l'ecole, mais quand on commence a le rencontrer dans des cas professionel la on comprend tout de suite son utilité

[No1]

tt à fait !!
en fait aussi en cas de npn on a Vbe=0.6 v
jai une autre question svp pourquoi on met toujours E en haut et C en bas (transistor pnp) ????

[louloute/Qc]

Vieille habitude de mettre en haut le point le plus positif et en bas le plus négatif.

Avec un PNP, comme souvent l’émetteur est à un potentiel supérieur à sa base elle-même supérieure à la tension du collecteur, on le voit dans le sens E, B, Collecteur.

Mais rassure-toi, ça ne lui donne pas plus le vertige que les Australiens qui ont les pieds plus hauts que la tête.

[No1]

ah oui

[No1]

svp si vous avez des exercices types pnp je suis preneur
je trouve rien sur le net et je dois m'entrainer

[invite39886733]

Voila un circuit que j'utilise tres souvent:

######################
images supprimées

Prière de se conformer aux recommandations suivantes:
http://forums.futura-sciences.com/el...-sabonner.html

devine a quoi il sert?

[DAUDET78]

devine a quoi il sert?

Il sert à rien car il ne marche pas .....

A moins que VPAN soit l'alimentation ? Dans ce cas, ton dessin est à l'envers .... on dessine toujours de gauche à droite ....

[invite39886733]

Autre montage super utile et tres utilisé:

######################
images supprimées

Prière de se conformer aux recommandations suivantes:
http://forums.futura-sciences.com/el...-sabonner.html

[invite39886733]

Il sert à rien car il ne marche pas .....

A moins que VPAN soit l'alimentation ? Dans ce cas, ton dessin est à l'envers .... on dessine toujours de gauche à droite ....

Qui a dit que les dessin se lisent de gauche a droite?
C'est moi l'architecte c'est moi qui decide des regles (quote]matrix)

[invite39886733]

revoila les images

[DAUDET78]

Qui a dit que les dessin se lisent de gauche a droite?

C'est la coutume ......
Notre ami "No1" étant débutant , tu ne lui facilites pas la compréhension du schéma (ou alors, indique les entrées et les sorties avec des flèches ...)

Quand au deuxième schéma, tu aurais pu le faire encore plus compliqué pour qu'on ne trouve pas facilement la limitation de courant .....

PS : avec 1M pour R12 et pour saturer Q9 avec 3,3mA (la limitation de courant avec R13=180) il faut que la tension Alarm_Power soit au moins de 165V ........

[invite39886733]

 Cliquez pour afficher

la tension d'entre est de ~28V

=> Ib ~ (28 - 0.7) / 1M = 27µA

Ic = 27µA * 200 (Hfe) = 5.4mA

5.4 > limitation courant donc sat

[DAUDET78]

Ic = 27µA * 200 (Hfe) = 5.4mA

http://www.datasheetcatalog.org/data...or/mXruurs.pdf

Tu confonds le Hfe (gain en régime linéaire) et le gain en saturation. Le gain en saturation pour ce transistor est de 20 ! donc ton transistor n'est pas saturé .

[invite39886733]

je crois qu'il y a une petite confusion sur l'interpretation de la doc:

Ce tableau indique des valeurs de Vce en fonction de Ic pour un rapport de sursaturation Ic/Ib = 20


Mais la doc confirme bien que le Hfe ~200

[DAUDET78]

jCe tableau indique des valeurs de Vce en fonction de Ic pour un rapport de sursaturation Ic/Ib = 20

Donc c'est la valeur à prendre pour ton application et la résistance de 1Mo est beaucoup trop grande

Mais la doc confirme bien que le Hfe ~200

pour un transistor de groupe "B"

Mais ce paramètre est inutile (et inutilisable) si on utilise le transistor uniquement en saturation

[invite39886733]

precision:

Le transistor Q9 a son courrant d'emetteur limité par le transistor Q6 a un maximum de 3.8mA.

La jonction VEB etant polarisé a 0.7V l'equation basique indiscutable du transistor bipolaire est:

Ic = Ib * Hfe

Vue que cette valeur est superieur a la valeur que IE peut sortir le transistor commence a saturer

Apres si on veux faire sursaturer le transistor il faut augmenter la valeur de Ib tel que:

Ib * Hfe = Iemax * ~10

mais dans mon cas ce n'est pas necessaire car ce circuit est une application low power donc on essaye au mieux d'economiser le courrant

[DAUDET78]

La jonction VEB etant polarisé a 0.7V l'equation basique indiscutable du transistor bipolaire est:

Ic = Ib * Hfe

Cette formule est valable uniquement si le transistor n'est pas en saturation

Si le transistor est en saturation, tu la remets dans ta culotte

Je t'ai expliqué le pourquoi et le comment. Si tu ne veux pas comprendre la différence entre le gain en régime saturé et le gain en régime linéaire, je ne peux rien pour toi. Pour moi, la discussion est close.

[invite39886733]

j'imagine que ce que vous entendez par "gain en régime saturé" est le facteur de sursaturation...

[PA5CAL]

La jonction VEB etant polarisé a 0.7V l'equation basique indiscutable du transistor bipolaire est:

Ic = Ib * Hfe

Indiscutable ?

Dans ce cas, prends les courbes caractéristiques V_CE=f(I_B)@I_C d'un transistor, et tente de trouver le H_fe qui convient.

Dans l'exemple suivant (BC547), les courbes représentées font état d'un rapport I_C/I_B variant de 10 à 125 environ.

[invite39886733]

Indiscutable ?

Dans ce cas, prends les courbes caractéristiques V_CE=f(I_B)@I_C d'un transistor, et tente de trouver le H_fe qui convient.

Dans l'exemple suivant (BC547), les courbes représentées font état d'un rapport I_C/I_B variant de 10 à 125 environ.

d'apres ce que je comprend sur ce schema (NPN) on pourrais dire si on voulais faire un equivalent que le courant IC serais dans notre cas le courant max Ie du (PNP) donc 3.8mA et que en se reportant aux graph et en faisant une estimation au croc de boucher on trouverais un courant de base Ib=20µA pour etre en regime de saturation

J'ajouterais que je ne connais pas un seul designer electronique qui utilise cette methode pour mettre en place des circuits a transistor

[invite39886733]

maintenant je comprend la question sur le schema du NPN mais je vois pas du tout la meme chose que vous...

si on fait le rapport IC/IB a VCE = 0.6V
on a:

->@10mA/0.04 = 250
-> @20mA /0.075mA = 266
->@50mA/0.032mA = 156