Transistor, MOSFET ou IGBT ??

[invite49060bcb]

Bonjour a tout le Groupe j'espere que vous a allez tous tres bien !
une petite question academique....
je veux commander une bobine, ou plutot je veux controler le flux magnetique cree dans cette bobine en appliquant un signal PWM a ses bornes.
quand j'utilise un Transistor (TIP33A par exemple)...ca marche !
quand j'utilise un MOSFET (IRF740 par exemple)... ca marche aussi !
et quand j'utilise un IGBT (STGW20NB60HD par exemple) ... ca marche ..!
..... quel est le but alors ?
ou si vous voulez..... que me recommandez-vous entre ces 3 composants ?
le quel parmis ces 3 controllera ma bobine de facon optimale et pourquoi pas les autres ?

Merci d'avance
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[Antoane]

Bonjour,
voir ici : http://cust.univ-bpclermont.fr/forma...ki=P07A02index "étude de la partie puissance".
A l'état passant :
- Un IGBT présente une tension Vcesat élevée (>0,7V, souvent jusqu'à 1,( ou 2V) => application haute-tension ;
- Un Mosfet se caractérise par une résistance drain/source de qq mohm ou dizaines de mohm, elle sera d'autant plus grande que le composant sera prévu pour de la haute-tension, on reste donc sous la centaine de V. Il est possible d'aller en HF avec un circuit de commande de gate correctement disigné ;
- le bipolaire se caractérise par une tension Vcesat assez faible, inférieure au V (~0,2V en faible puissance). Un inconvéniant est l'impédance d'entré qui est faible.
- le thyristor est lent et ne se coupe pas "tout seul".

je ne pense pas avoir dit trop d'anneries.

[gcortex]

Les MOS sont (étaient) performants pour des tensions de moins de 200V
Au dessus darlington ou IGBT