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Transistor, MOSFET ou IGBT ??



  1. #1
    bimo

    Question Transistor, MOSFET ou IGBT ??

    Bonjour a tout le Groupe j'espere que vous a allez tous tres bien !
    une petite question academique....
    je veux commander une bobine, ou plutot je veux controler le flux magnetique cree dans cette bobine en appliquant un signal PWM a ses bornes.
    quand j'utilise un Transistor (TIP33A par exemple)...ca marche !
    quand j'utilise un MOSFET (IRF740 par exemple)... ca marche aussi !
    et quand j'utilise un IGBT (STGW20NB60HD par exemple) ... ca marche ..!
    ..... quel est le but alors ?
    ou si vous voulez..... que me recommandez-vous entre ces 3 composants ?
    le quel parmis ces 3 controllera ma bobine de facon optimale et pourquoi pas les autres ?

    Merci d'avance

    -----


  2. #2
    Antoane

    Re : Transistor, MOSFET ou IGBT ??

    Bonjour,
    voir ici : http://cust.univ-bpclermont.fr/forma...ki=P07A02index "étude de la partie puissance".
    A l'état passant :
    - Un IGBT présente une tension Vcesat élevée (>0,7V, souvent jusqu'à 1,( ou 2V) => application haute-tension ;
    - Un Mosfet se caractérise par une résistance drain/source de qq mohm ou dizaines de mohm, elle sera d'autant plus grande que le composant sera prévu pour de la haute-tension, on reste donc sous la centaine de V. Il est possible d'aller en HF avec un circuit de commande de gate correctement disigné ;
    - le bipolaire se caractérise par une tension Vcesat assez faible, inférieure au V (~0,2V en faible puissance). Un inconvéniant est l'impédance d'entré qui est faible.
    - le thyristor est lent et ne se coupe pas "tout seul".

    je ne pense pas avoir dit trop d'anneries.
    Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.

  3. #3
    gcortex

    Re : Transistor, MOSFET ou IGBT ??

    Les MOS sont (étaient) performants pour des tensions de moins de 200V
    Au dessus darlington ou IGBT


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