Bonjour,
J´ai un problème très simple auquel je n´arrive pas à trouver de solution.
Je cherche à estimer la puissance minimale mesurable par une photodiode de chez hamamatsu.
Les spec de la photodiode sont les suivantes (données en attaché):
courant d´obscurité: a peu prés 5 pA
NEP: 9*10-15 W/(Hz)^0.5 (mesuré à 1 Hz d´après le fabricant)
temps de montée de la photodiode (mesurés avec une résistance de charge de 1 kOhm): 100 ns
Je peux choisir le temps d´intégration du signal optique/électrique (durée après laquelle le nombre de photoélectrons générés dans la photodiode sera lu est digitalisé)
Pour calculer la puissance optique minimale détectable par la photodiode, j´ai appris, lorsque j´étais petit, que l´on doit utiliser la NEP et multiplier par la une certaine "bande passante". C´est la que j´ai des problèmes:
-doit je utiliser la bande passante maximale du système diode
+ résistance de charge, qui est à peu prés égale à l´inverse du temps de montée, soit 1/100e-9 = 10 MHz. Dans ce cas la puissance minimale détectable est toujours indépendante du temps d´intégration du signal optique (le temps pendant lequel j´acquiers le signal sur la photodiode )
-doit je au contraire utiliser le temps d´intégrations du signal optique arrivant sur la photodiode? dans ce cas les valeurs de la puissance minimale détectable diminue avec le temps d´intégrations (la bande passante "effective" diminue), ce qui est à mon sens logique puisqu´en en général on augmente le rapport signal à bruit en "accumulant" des mesures...
Voilà, si quelqu´un à des idées, ou de bonne références bibliographiques, je suis preneur.
Par avance merci,
Grégory
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